再次突破摩尔定律，3D IC助力赛灵思保持霸主之尊！

　　2013年将出现第一波量产高潮。经济、市场以及技术相整合的力量，驱动着Intel、IBM、Micron、高通、三星、ST-Microelectronics以及赛灵思等全球半导体领导企业在3D IC技术上不断突破。

　　市场对更智能， 更高集成度以及更低功耗电子系统的需求持续增长， 以满足所谓“物联网”所引领的层出不穷的各种应用。为此， 各家企业都在寻求突破摩尔定律之道，而其中少数企业已经在证明基于硅穿孔((Through Silicon Via, TSV))技术的3D IC制造的可行性， 并应用了各种全新的供应链模式。

　　赛灵思公司全球副总裁 Liam Madden

　　业界先锋企业也正在寻求各种可以克服摩尔定律局限的方法，推出了前所未有的高容量和高性能，为新型异构IC的发展铺平道路，该IC可整合和匹配处理器、存储器、FPGA、模拟等各种不同类型的晶片，打造出了此前所无法实现的片上系统(SoC)。

　　赛灵思在2011年推出了全球首款3D IC，这是业界首款具有68亿个晶体管(约2000万个ASIC门)的All Programmable同质3D IC。2012年，赛灵思一直都保持着3D IC创新领导者的地位。

　　除了半导体厂商在3D IC发展上的不断突破，我们也看到DRAM制造商采用TSV技术推出了首批独立封装的堆叠器件。此外，DRAM制造商还积极参与规定Wide I/O DRAM的各种标准委员会工作，推动有源移动器件中介层及有源标准的发展。同时，更高带宽3D IC DRAM标准的制定工作也在积极开展，这种标准更适合计算及网络应用。

　　在供应链方面，台积电(TSMC)公司演示了其COWOS (chip on wafer on substrate)技术的商业可行性，为2013年全面提供3D IC组装服务做好了充分的准备。

　　3D IC面临的挑战?

　　那么，进入2013年之后，3D IC在主流市场交付及推广将面临哪些挑战呢?

　　要全面释放3D IC的潜力，我们的行业需要面对各种技术及商业发展的障碍。首先是降低中介层及组装工艺的成本。很多技术改进将通过大量推广实现，但为这些技术和服务创建健康的开放市场也很重要。其次，我们必须采用确好晶片(KGD)、特别是已封装的确好晶片(KGB)功能进行设计，尽可能确保组装后3D IC符合所有规范。第三，我们要开发全新的商业模式，让一家集成商能够在提前明确成本结构、供应链、产量/所有权以及责任等所有问题的情况下，组装来自众多不同公司的芯片，这样我们才能最大限度提高该技术所支持的应用范围。

　　赛灵思研发工作已经稳步迈向第二代3D IC技术发展，再次超越摩尔定律，从而可激发工程师以更少的芯片，更快地开发更智能、更高集成度的高带宽系统。

　　展望2013年及未来，赛灵思将致力于扩大3D IC技术的价值和广泛应用，积极同由晶圆代工、EDA、供应链、半导体、IP以及系统公司组成的不断壮大的生态系统合作，推动未来电子系统设计在系统级IC集成上实现根本性进展。

　　关于Liam Madden

　　Liam Madden Liam Madden现任赛灵思公司FPGA开发与芯片技术全球副总裁,负责FPGA设计、先进封装技术(包括3D 芯片堆叠技术)和代工技术。 Madden2008年加入赛灵思,带来了他在设计和尖端技术领域25年多的丰富经验。Madden为众多业界领先产品做出过贡献。例如高性能和低功耗微处理器(DEC的Alpha和StrongArm处理器)、嵌入式处理器和IP (MIPS)和消费性电子设备 (微软的Xbox 360)。加入赛灵思前,Madden是AMD公司的资深院士(Senior Fellow),推动了该公司新一代芯片的整合方法。他拥有美国加州大学戴维斯分校工程学士学位,以及康乃尔大学工程硕士学位。