如何解决芯片内部的地d问题

如何解决芯片内部的地d问题,第1张

所谓“地d”,是指芯片内部“地”电平相对于电路板“地”电平的变化现象。以电路板“地”为参考,就像是芯片内部的“地”电平不断的跳动,因此形象的称之为地d(ground bounce)。当器件输出端有一个状态跳变到另一个状态时,地d现象会导致器件逻辑输入端产生毛刺

那么“地d”是如何产生的呢?

首先我们要明白,对于任何封装的芯片,其引脚会存在电感电容等寄生参数。而地d正是由于引脚上的电感引起的。 

我们可以用下图来直观的解释一下。图中开关Q的不同位置代表了输出的“0”“1”两种状态。假定由于电路状态装换,开关Q接通RL低电平,负载电容对地放电,随着负载电容电压下降,它积累的电荷流向地,在接地回路上形成一个大的电流浪涌。随着放电电流建立然后衰减,这一电流变化作用于接地引脚的电感LG,这样在芯片外的电路板“地”与芯片内的地之间,会形成一定的电压差,如图中VG。这种由于输出转换引起的芯片内部参考地电位漂移就是地d。

如何解决芯片内部的地d问题,如何解决芯片内部的地d问题,第2张

芯片A的输出变化,产生地d。这对芯片A的输入逻辑是有影响的。接收逻辑把输入电压和芯片内部的地电压差分比较确定输入,因此从接收逻辑来看就象输入信号本身叠加了一个与地d噪声相同的噪声。

现在,集成电路的规模越来越大,开关速度不断提高,地d噪声如果控制不好就会影响电路的功能,因此有必要深入理解地d的概念并研究它的规律。

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