美高森美提供S波段RF功率晶体管系列新品

　　美高森美公司（Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术的射频（RF）晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达（ASR）应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

　　在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能，通过单一器件在这个频段上提供最大功率，主要特性包括：

　　• 标准脉冲间歇格式： 100µs， 10 % DF

　　• 出色的输出功率： 500W

　　• 高功率增益： >11.5 dB min

　　• 漏极偏压−Vdd： +65V

　　• 低热阻： 0.2℃/W

　　使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）实现的系统优势包括：

　　• 具有简化阻抗匹配的单端设计，替代需要额外合成的较低功率器件

　　• 最高峰值功率和功率增益，可减少系统功率级数与末级合成

　　• 单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率，通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率

　　• 65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求

　　• 极其稳健的性能提升了系统良率，而且

　　• 放大器尺寸比使用硅双极结晶体管（Si BJT）或横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的产品减小50%

　　封装和供货：

　　2729GN-500晶体管采用单端封装供货，在密封的焊料密封封装中采用100% 高温金镀金线材布线，实现长期军用级可靠性。美高森美将为符合资格的客户提供租借演示单元，并在公司网站 www.microsemi.com 上提供技术资料表。要了解更多的信息，请发送电邮至 sales.support@microsemi.com