三星512GB嵌入式通用闪存量产，采用64层512Gb V-NAND电路设计和电源管理技术

三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。

为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和能源效率，三星推出了一套新的独家技术。三星512GB eUFS控制器采用64层512Gb V-NAND先进的电路设计和新的电源管理技术，将能源消耗降到最低。另外，512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。

三星512GB eUFS读写性能也非常强大。512GB嵌入式存储器的顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s，能够在6秒内将5GB的全高清视频片段传输到SSD，相比于普通的micro SD卡速度提高了8倍。

对于随机 *** 作，三星512GB eUFS可以读取42，000 IOPS并写入40，000 IOPS。基于eUFS的快速随机写入，比传统micro SD卡的100 IOPS速度快大约400倍，移动用户可以享受无缝的多媒体体验，如高分辨率连拍，以及双重文件搜索和视频下载应用程序查看模式。

另外，三星还计划稳步增加其64层512Gb V-NAND芯片的产量，并扩大256Gb V-NAND芯片的产量，以满足高级嵌入式移动存储以及高密度、高性能的高级固态硬盘和可移动存储卡的需求。