除去这些“绊脚石”，Micro LED量产指日可待

　　微发光二极体（Micro LED）技术：指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。

　　而Micro LED display，则是底层用正常的CMOS集成电路制造工艺制成LED显示驱动电路，然后再用MOCVD机在集成电路上制作LED阵列，从而实现了微型显示屏，也就是所说的LED显示屏的缩小版。

　　SONY、苹果的前期部署，让Micro LED迎来曙光

　　这些年，在苹果和 SONY 带动下，以“次世代显示技术”之姿为业界带来希望曙光。由于 Micro LED 显示技术横跨多个产业领域，加上未来应用想像空间广，吸引不少业者投入研发。只是目前这项新兴技术供应链尚未建构完整，各家发展状况也不明朗，究竟 Micro LED 能多快落实商业实用化，成为许多厂商亟欲了解的问题。

　　Micro LED如果做成类似LED显示屏这样的显示面板，以数十英寸到上百英寸这样的面积，在技术上是可行的，但离商业化量产还要很远，就是需要更高速度的巨量转移技术，把一颗颗小型LED移到基板上，否则以现有技术与良率，要打造一台可用的显示器，费时过久，无法大规模量产。

　　随着LED的点间距微缩，传统LED封装成本其实在整体LED显示屏模组的比重，其实相对会徧高，厂商能够一直微缩传统LED晶片的尺寸，但是加上封装支架，以及打线，再怎样也有成本和技术上无法平衡的局限。

　　未来，如果透过Micro-LED来做显示屏，就不需要封装支架与金属打线，可进一部降低传统SMD-LED封装成本。

　　Micro LED量产须解决均匀性问题

　　Micro- LED产品要求高波长均匀性，小间距用LED产品波长均一性更是要求严苛。目前量产标准下的蓝光LED波长均一性要求在±5~12nm，然而小间距显示屏波长均一性要求，甚至要低到±1-1.5 nm。如果是Micro LED，要求会更严格。

　　换言之，量产规模下，高精度转移制程去提升制程产率，至少须达到99.9%以上的水准，甚至是99.999%这样更好的状态。

　　这样一来，产业需要用到的PCB板，也要能够完成客制化的要求，透过细线宽/线距与小钻孔开发，借由这种超高密度线路，才有办法承载巨量Micro-LED画素，对消费者与用户来说，就可呈现高解析度、高画质的显示效果。

　　另外，把Micro LED应用在智慧手环与智慧手表上的难度，在LED驱动IC上的发展是有潜力完成的，因为要控制的画素点较少，如果是应用在LED显示屏用的Micro LED，搭配的驱动IC则需要高度客制化，设法将驱动与行扫电路整合，才能简化PCB背板设计，提高光电转化效率，解决因高密度画素LED太多，导致驱动IC空间不足摆放的问题。同时，让驱动电路能够模组化设计，如此才能进一步节省设计及制造成本。

　　Micro LED产业发展的未来，还有好多事项要不同业界逐步完成，才能把这块拼图拼好。