东芝落后竞争同业，3D NAND或将遭受大冲击

NAND 型快闪存储器（Flash Memory）正迎来 10 年一度的需求热潮，也造成做为原料的硅晶圆供应不足，当前库存水准已滑落至历史新低，各家半导体厂商纷纷加快脚步确保供应来源，不过东芝（Toshiba）在确保 2018 年所需的硅晶圆供货协商上，落后给竞争同业，而此恐对其半导体事业带来冲击。

据熟知供应契约协商的业界关系人士指出，东芝竞争同业为进行增产，已同意调涨明年份矽晶圆价格，而东芝则因数件“事情”导致协商落后，也就是说，全球第二大 NAND Flash 厂东芝在变化快速的市场上可能将处于不利情势。SMBC 日兴证券分析师竹内忍表示，截至 2018 年年末为止，12 吋矽晶圆价格很有可能会比 2016 年年末调涨 40% 以上水准。

据报导，在使用于苹果（Apple）iPhone 的 3D NAND Flash 的研发上，和南韩三星电子相比，东芝还落后 2 个月时间。

东芝美国核电子公司 WesTInghouse（WH）于今年 3 月声请适用美国联邦破产法第 11 条之后，东芝为求生存，计划以高达 2 兆日圆以上的价格出售半导体事业子公司“东芝存储器（Toshiba Memory CorporaTIon，以下简称 TMC）”，不过出售过程却颇为不顺，遭遇合作伙伴、共同营运 NAND Flash 主要据点“四日市工厂”的 Western Digital（WD）的百般阻挠。

WD 15 日宣布，已向美国加州地方法院提起诉讼，要求暂时禁止东芝出售半导体事业。WD 要求，在仲裁法院结果出炉前，禁止东芝出售半导体事业。WD 一直以来皆主张，在没有获得 WD 认可下，东芝不得将半导体事业出售给第三方，WD 并于 5 月向国际仲裁法院诉请仲裁，要求东芝停止半导体事业出售手续。