光电倍增管暗电流产生的原因_减少光电倍增管的暗电流方法

光电倍增管暗电流产生的原因_减少光电倍增管的暗电流方法,第1张

  光电倍增管的暗电流

  电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流,一般很小。

  光电倍增管的暗电流产生的原因

  1、阳极和各极间的漏电流。

  2、光电阴极和二次发射引起的热电子发射。

  3、离子反馈;即残余气体的原子和饱和蒸气被电离时,其正离子在运动过程中产生二次电子发射,业被倍增以产生暗电流。

  4、光反馈;即二次发射时产生的荧光引起的暗电流。

  

  减少光电倍增管的暗电流的方法

  1、补偿法

  所谓补偿法,就是利用外加电路产生一个与PMT暗电流方向相反的微小直流稳定电流来抵消PMT的暗电流。

  2、降低高压法

  因暗电流的主要来源之一是阳极和各极间的漏电流,而此漏电流又随PMT所加高压的升高而增大。所以,降低PMT的负高压,可以降低其暗电流。

  3、光调制法

  众所周知,PMT的暗电流主要成份可以认为是直流,其交流或高频成份很少。因此,采用对光源所发射的直流光信号进行光调制的办法,可以消除PMT暗电流对实际测量的影响。

  4、降温法

  因PMT暗电流产生的主要原因之一是热电子发射。因此,降低温度可以降低PMT的暗电流。目前,国外许多科技工作者常用半导体致冷法来降低PMT的暗电流,一般都能得到满意的结果。

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