eGaN FET与硅功率器件比拼之隔离型PoE-PSE转换器

隔离型砖式转换器被广泛应用于电信系统，为网络设备供电，这些转换器可以提供各种标准尺寸及输入/输出电压范围。它们的模块性、功率密度、可靠性和多功能性简化了隔离式电源应用，并在某种程度上商品化了隔离电源市场。这些转换器的一个共同特点是输入/输出功率器件的额定电压都在100V或以下。然而，市场上的隔离型转换器应用要求具有更高的器件电压，例如PoE-PSE（以太网供电的供电设备）。这些转换器更能受益于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）增高额定电压所带来的优势。本文将构建基于eGaN FET的半砖转换器，并与类似的最先进硅MOSFET砖式转换器进行比较。

隔离型PoE-PSE转换器简介

过去几年里，以太网供电（PoE）标准已逐渐形成。主要焦点是在新等级和新类型的设备里，功率有系统地增加。根据有关以太网供电的IEEE 802.3at标准，供电设备（PSE）要求PoE Type 1的输出电压在44V至57V之间，PoE Type 2（PoE+）的输出电压在50V至57V之间。以太网开关的每个端口都必须能够输出15.4W（Type 1）或25.5W（Type 2）功率。对供电设备来说，输出要求某种形式的稳压，但是无需进行严格的稳压。有趣的是，最低电压的增加是因功率电平增加而增加了最大线性压降，未来供电设备则可能要求接近最大值57V的更小电压范围。对于具有24、36或48个端口的典型以太网开关来说，其要求的总供电设备的功率可能高达1.2kW。这便推动了对更高效率和更高功率密度的转换器的需求。

由于这些砖式转换器具有规定尺寸限制，工程师不断尝试利用创新方法来提高它们的输出功率和功率密度。虽然这些想法很多并且千变万化，却都只是与提高系统效率有关。这是由于转换器的固定体积和散热方法而构成的物理限制。对于半砖转换器来说，很难除去超过35W的损耗，即使是使用强大的气流和/或基板。图1显示了在半砖转换器所要求的最小满负荷效率与可实现的输出功率之间的关系。因为大多数商用的半砖供电设备转换器已经具有95%效率，所以即使是半个百分点效率的改进也很重要，并可以使输出功率再额外增加约100W。然而，每瓦的成本（$/W）是最重要的考虑因素，提高砖式转换器效率及输出功率可以减少模块每瓦的总成本。

图1：半砖转换器达到指定输出功率时所需的最低效率（假设最大功耗为35W）。

比较不同的隔离型PoE-PSE转换器

在尝试比较半砖PoE-PSE转换器时，不可能进行简单的一对一比较，因为不同的商用转换器具有非常多样化设计。每一代电源的输出功率都有所提高，因为制造商的“最优”设计都在结构、版图和拓扑等方面进行了改进。要确定“最佳”解决方案是一个反复的过程，而“最佳”解决方案的定义也不尽相同，进一步增加了问题的复杂性。半砖应用的设计是多样化的，一个极好的例子是选择搭建两个交错式转换器还是搭建单个转换器。另外，目前的商用产品都有使用单级转换或两级转换的方法。

对于较大的砖块尺寸（比如半砖尺寸），其输出功率和转换器的总功耗足够地高，以致每个开关通常要求使用多个功率器件——从所需热管理的角度，及最小导通电阻（最大晶片尺寸）的角度来看也是一样。如果转换器被划分为两个（每个负责一半的功率），那么功率器件的总数量将不会受到影响。使用更多电感和变压器的成本和体积增加也有问题，因为这些器件更小，并且转换器的交错可允许输出电容减小。此外，砖块的尺寸（特别是高度的限制）意味着单个大功率变压器的高度受限，与两个较小变压器的磁芯相比，其磁芯通道的长度可能不是最优。其余的差异（栅极驱动和控制）将有可能成为决定性的因素，也就是说，我们能否接受增加成本来实现更高的效率及输出功率？

就像八分之一砖式转换器那样，开发基于eGaN FET转换器不一定是一般的最优解决方案。相比目前的商用系统，我们的设计目标是把工作频率提高许多，用于展示eGaN器件能够帮助擅长于电源设计的工程师开发出具有更高效率和更高输出功率的最先进的新一代产品。

基于原型eGaN FET的PSE转换器

针对48V至53V基于eGaN FET的半砖供电设备转换器，可以选择采用全桥同步整流器（FBSR）拓扑的相移全桥（PSFB）转换器（如图2所示）。由于功率较高，在半砖体积中构建了两个交错式转换器，而不是采用并联器件的单个转换器。这样做不仅避免了并联器件所产生的复杂性，而且使用两个独立的转换器理论上允许通过切相来提高轻载时的效率。图3显示了一相和两相工作时的效率结果，其中采用简单切相时的轻载效率提高了至少2%。

每个转换器的工作频率为250kHz，其输出纹波频率为1MHz。图4显示了更完整的原理图。其目的是要显示由于开关频率的提高和氮化镓器件的尺寸相对较小，可以在有限的体积中构建两个这样的转换器。选择4:7的变压器匝比意味着，当VIN为60V时，副边绕组电压（不包括开关尖峰）大约为105V，因此，副边可以使用200V的器件，原边则可以使用100V的器件。

基于eGaN FET的实际原型见图5。从图中可以看出，与传统砖式设计不同，磁性元件没有集成在主印刷电路板上，而是安放在几个独立的印刷电路板上。这样不仅能够减少主印刷电路板所需的层数，而且允许输出滤波器使用传统的表面贴装电感。转换器使用八层、每层两盎司铜的印刷电路板。变压器绕组是通过在绕组窗口层叠两个八层电路板（并联）而创建的。

图2：使用eGaN FET实现全桥同步整流（FBSR）（两个半砖、交错式250kHz转换器）的350W全稳压的相移全桥（PSFB）拓扑。

图3：采用基于eGaN FET原型设计的半砖PSE转换器在单相（一半转换器断电）和正常两相工作时的效率数据。

图4：采用eGaN FET设计、工作在250kHz开关频率的八分之一砖式、38 V~60 V至53 V/70W转换器的原理图。

图5：采用eGaN FET设计的48V至53V半砖PSE转换器的顶视图和底视图（单位为英寸）。