NAND Flash营收季增10.2% 带动合约价跌幅收敛_技术

2019 年第三季 NAND Flash 产业营收季成长为 10.2%，达到约 119 亿美元。一方面受惠于年底销售旺季以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加，激励整体位元出货量成长近 15%；另一方面在供应商库存水位改善下，抑制了以低价对 Wafer 市场倒货的力道，进而带动合约价跌幅收敛。

三星电子延续在服务器、移动设备等高容量产品的优势，随着 Intel 新平台以及下半年多款旗舰机陆续推出，三星第三季的位元出货较第二季成长逾 10%，库存水位于第三季达到平稳，平均销售单价跌幅则收敛至 5%以内，营收达到 39.87 亿美元，较第二季成长 5.9%。

从产能分析，三星仍照原计划逐季缩减 Line12 的 2D NAND 产品，并在持续转进新制程的同时，维持相同的 3D NAND 投片规模。在新产能方面，西安二期仍依规划于 2020 年上半年投产，而平泽二厂预定明年下半年开始营运。

SK 海力士在第二季位元出货大幅成长 40%后，第三季位元出货稍微放缓，季减 1%，但受惠于价格逐渐稳定以及 Wafer 产品销售比重下降，平均销售单价较前一季上涨 4%，使得整体 NAND Flash 营收达 11.46 亿美元，季成长 3.5%。

以产能规划而言，受到 2D NAND 产能缩减影响，今年 SK Hynix 整体产能呈现逐季递减，而主流的 3D NAND 则小幅扩产，新增产能主要设于 M15。

铠侠尽管受到四日市厂区跳电事件影响，但受惠于旺季需求拉升以及苹果新机备货的需求的带动下，位元出货仍较前一季成长逾 20%，但由于平均销售单价下跌约 5%，使得整体营收来到 22.27 亿美元，季成长 14.3%。

从产能方面观察，四日市厂区虽已恢复全线营运，但已影响其今年位元产出增长低于其他竞争者。在 2020 年规划方面，岩手县 K1 厂已于 10 月竣工，预计最快在 2020 年上半年提供产出，有助于位元产出的市场占比回到跳电前水平。

西数在旺季需求推动下，第三季位元出货表现，季增约 9%，而平均销售单价也因四日市厂区跳电事件以及需求增加而止跌，带动第三季营收达 16.32 亿美元，较上季成长 8.4%。

从产能规划来看，四日市厂区跳电后，产线于七月中旬起逐渐恢复，关于产能损失的最新说法为 4 Exabytes。而在新产线的部分，西数第三季在岩手县 K1 厂投资达 6，400 万美元，预计 2020 年起提供 BiCS4 或更先进制程的产出。

美光基于移动设备出货成长以及客户端备货需求涌现，第三季 NAND Flash 营收较上季成长 4.7%，达 15.3 亿美元。在位元出货方面，由于 7、8 月有客户转单，本季成长逾 10%，但平均销售单价季度跌幅仍逾 5%。

在产能方面，美光于八月宣布新加坡新厂正式投入营运，将对转进新制程结构有助益，至于其他在新加坡以及 Manassas 的产能则未有太多变化。

英特尔第三季受惠于 Enterprise SSD 与 Client SSD 的出货显著增长，位元出货量季成长超过 50%；另一方面，即便客户采用更多新制程以及高容量产品，平均销售单价仍有超过 10%的下跌。总体而言，营收来到 12.9 亿美元，较上季大幅成长 37.2%。

在产能方面，英特尔大连厂仍将维持原产能直至年底，目前亦未提及 2020 年有增产规划。