安森美推出消除LED闪烁和支持ASIL B的下一代汽车图像传感器样品

　　2015 年 10 月21日 —— 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出采用突破性减少LED闪烁 （LFM）技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品，为汽车先进驾驶辅助系统（ADAS）应用确立了一个新基准。AR0231AT能捕获1080p高动态范围 （HDR） 视频，还具备支持汽车安全完整性等级B（ASIL B）的特性。

　　LFM技术（专利申请中）消除交通信号灯和汽车LED照明的高频LED闪烁，令交通信号阅读算法能于所有光照条件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸（6.82 mm）光学格式和1928（水平） x 1208（垂直）有源像素阵列。它采用最新的3.0微米背照式（BSI）像素及安森美半导体的DR-Pix™技术，提供双转换增益以在所有光照条件下提升性能。它以线性、HDR或LFM模式捕获图像，并提供模式间的帧到帧情境切换。

　　该新器件提供达4重曝光的HDR，以出色的噪声性能捕获超过120 dB的动态范围。AR0231AT能同步支持多个摄相机，以易于在汽车应用中实现多个传感器节点，和通过一个简单的双线串行接口实现用户可编程性。它还有多个数据接口，包括MIPI（移动产业处理器接口）、并行和HiSPi（高速串行像素接口）。其它关键特性还包括可选自动化或用户控制的黑电平控制，支持扩频时钟输入和提供多色滤波阵列选择。

　　安森美半导体汽车影像和扫描分部高级总监Alvin Wong说：“安森美半导体再次彰显其市场领导地位，是首个提供具备LFM的AR0231AT传感器样品的供应商。AR0231AT的独特性是在一个230万像素、1080p BSI图像传感器中支持LFM和ASIL B，标志着先进的特性结合，最适用于高性能汽车ADAS影像的产品。”

　　封装和现状

　　AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封装，现提供工程样品。工作温度范围为-40℃至105℃（环境温度），将完全通过AEC-Q100认证，并将于2016年量产。

　　关于安森美半导体

　　安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON）致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源和信号管理、逻辑、标准及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗及军事/航空应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。