英特尔和美光将投入2bit单元25nm MLC NAND闪存

目前，限制SSD普及的门槛依然是昂贵的价格和较小的容量，而各大闪存制造厂商也在为SSD的普及，积极地研制新制程技术，以期望带来更具性价比的产品。显然，英特尔和美光的合作，使两家公司在技术和创新上走在了其他公司的前面。

25nm NAND芯片晶圆照片

　　英特尔和美光在年初宣布将投入2bit单元 25nm MLC NAND闪存制造，这项新技术的采用有利于SSD容量的提升以及价格的下滑。因此，能有效地促进SSD的市场普及力度。说到英特尔和美光，我们不得不提到IMFT(Intel-Micron Flash Technologies)公司。英特尔、美光闪存技术公司(简称IMFT)是英特尔(Intel)与美光(Micron)在2006年成立的合资企业，共同投资额超过20亿美元。IMFT结合英特尔(Intel)与美光(Micron)两家的资产、技术和行业经验，专注于生产NAND快闪记忆体。伴随着摩尔定律，IMFT公司大约每18个月就能将NAND闪存的密度增加一倍。2006年，他们开始采用50nm工艺生产NAND闪存，然后在2008年启用了40nm工艺。这种强强合作的研发方式，催促着体积更小，价格更便宜，存储容量更高的NAND闪存产品不断问世。这和我们过去几年，在SSD市场、USB闪存驱动器和移动设备存储市场看到的情况基本吻合，精致小巧、超大容量、超低价格的存储产品不断出现。当然，技术进步的脚步不会因此而停止。在2010年2月1日，IMFT又向前迈出一大步，正式发布25nm NAND制造技术。自此，英特尔与美光科技公司声称他们拥有全球最先进的半导体工艺技术。而现在，基于新工艺制造的产品已经来到我们身边。

8GB MLC NAND芯片—167mm2

　　那么，这对消费者意味着什么?事实上，生产工艺提升到25nm后，大大缩小了NAND闪存芯片面积尺寸，提升存储密度。和前代产品相比，其单位体积封装的芯片数量最多可提升50%。因此，25nm工艺的NAND芯片允许使用体积更小，但密度较高，成本却较低的设计。例如，一个之前需要32颗NAND芯片才能生产出的SSD固态硬盘，现在只要16颗NAND芯片即可。少了一半的NAND芯片开销，将产品体积和生产成本双双降低。或者，可以用32颗新工艺的NAND芯片生产出容量翻倍的固态硬盘。可以预见，新工艺将帮助厂商们刷新固态硬盘的最大容量上限，而产品的价格却将进一步下降。