测量器件饱和功率和增益的方法

　　RF晶体管和RF集成电路上的功率测量的复杂性日益增大。在高功率设备性能测量中，最重要的是测量饱和功率，由于很难用CW技术来评估参数，它通常在脉冲状态下测试。本文介绍的方法消除了用于测量的经典方法中的某些重大缺点。该方法无需外部个人电脑，只使用了Rohde&Schwarz公司的一些SMIQ信号发生器，并利用了如同高动态范围峰值计量器一样工作的FSP信号分析仪的一些鲜为人知的性能。

　　通过使用线迹算术运算(trace math)和标记，可以在一直到设备饱和功率级的任何一个压缩级直接读取增益和功率。对一个来自Freescale半导体为UMTS频段(模式MW4IC2230MB)而设计的高增益LDMOS电源RF集成电路进行测量显示了该方法的优点。

　　饱和功率是一个重要的设备或放大器特性，因为数字预矫正系统常常被用来线性化多载波蜂窝基站功率放大器。饱和功率通常看成是前置补偿功率放大器可能的最大输出功率。即使LDMOS设备比双级晶体管更强健，要测量高CW功率级仍然困难。实际上，自热式设备几乎不可能产生准确和可复验的测量。这样的结果是，通常采用脉冲信号完成饱和功率的测量。典型地，使用具有脉冲输入的信号产生器和具有两个感应器的峰值功率计量器。于是，设备的输入功率会得到增加，部分输出功率与输入功率之比可在PC的帮助下得出。

　　然而，该方法的准确度有限。双通道峰值RF功率计量器要求两个感应器在给定的动态范围内运作以获得更佳的准确度。假如测试工作台设计适当，该条件很容易实现。可是如果被测器件(DUT)有高增益，比如象多级RF集成电路，就会出现另一个错误源：感应器不能在校准(当被测器件被穿透基准取代)和测量期间，在同一动态范围内运作。因而，在测量结果和工作台被校准的功率级别之间，存在相互依赖性。