宜普电源转换公司推出两款100V eGaN FET，为业界树立全新性能基准

新一代100 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、汽车信息娱乐及激光雷达系统的理想功率器件。

EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。

EPC2204的导通电阻降低了25％，但尺寸却缩小了3倍。 与基准硅MOSFET器件相比，其栅极电荷（QG）小超过50%，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真和更高效的同步整流器和电机驱动器。

100 V基准硅场效应晶体管与100 V 氮化镓场效应晶体管的性能比较

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示：“大家预计最新一代且性能优越的100 V eGaN FET的价格会更高。但这些最先进的100 V晶体管的价格与等效老化器件相近。我们为设计工程师提供的氮化镓器件的优势是性能更高、尺寸更小、散热效率更高且成本相近。氮化镓器件正在加速替代功率MOSFET器件。”

产品价格和供货

下表列出了产品及相关开发板和参考设计板的价格。