挪威科学技术院院士在IFWS 2019上介绍石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术

11月25－27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。

11月27日上午，“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司协办。

第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。

挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，南京大学教授陆海，台湾交通大学特聘教授郭浩中，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正，上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮，河北工业大学教授张紫辉，中国科学院半导体研究所倪茹雪，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，厦门大学高娜，南京大学王致远等国际知名与专家参加本次会议，力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。

目前AlGaN材料的深紫外LED主要用于消毒杀菌。会上，挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为“采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED”的主题报告，介绍了石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术。

2005年以来，Helge WEMAN教授在NTNU领导着一个科研小组研究用于光电应用程序的iii－v族半导体纳米线和石墨烯。2012年六月，他参与创办了Crayonano AS公司并任首席技术官兼董事。

他表示，石墨烯衬底AlGaN纳米线外延生长技术比现有的薄膜技术更有优势。由于现阶段深紫外LED缺乏足够好的透明电极、高位错密度、大部分采用比较贵的AlN衬底和AlN缓冲层等原因，因此价格都很高，而且发光效率低。首个用于论证的采用倒装结构的UV LED已经完成，其采用的是双层石墨结构，其GaN／AlGaN的纳米线采用MBE的技术进行生长，这种纳米线具有很高的晶体质量，并没有很明显的缺陷和应力问题。目前其研究检测的结果显示这种LED的发射波峰在365nm并没有相关的缺陷黄光。

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
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