单级功率因数校正电路的直流母线电压分析和实验研究_技术

单级功率因数校正电路的直流母线电压分析和实验研究

摘要：通过对一种简单的单级PFC电路的研究，从理论上推导出直流母线电压的变化情况，以及电路功率因数和THD的计算公式，然后又用实验进行了论证。

关键词：功率因数校正；单级功率因数校正电路；直流母线电压

1 引言

但是，单级功率因数校正电路有自己的缺点，当PFC级工作在DCM模式，轻载时，直流母线（Bus）上的电压将成为主要问题。本文将从理论上推导DC/DC级工作在DCM模式时的直流母线电压的公式（DC/DC级工作在CCM时的情况见文献2），然后通过实验验证，为解决问题提供理论依据。同时，通过直流母线的推导，顺便推导出电路的PF和THD。

2 电路工作原理

单级功率因数校正的主电路图如图1所示，它是一种简单的BIFRED（Boost Integrated with Flyback RecTIfier/Energy Storage/DC-DC Converter），工作波形见图2。

图1 主电路示意图

图2 工作波形图

虽然BIFRED只有一个开关，但是和两级的功能却是一样的。实际上，输入电感L1，二极管D1，开关S1，和储能电容C1组成了一个DCM Boost功率级，而开关S1，带励磁电感Lm的变压器，输出二极管D2和输出滤波电容C2组成了一个反激级。其中变压器原副边匝比n=N∶1。

〔0－t0〕段开关S1导通，L1通过输入整流电压储能，电感电流iL1（=iin）上升。同时，励磁电感Lm通过电容C1放电而储能，这时电容C1和变压器原边是并联的。因而，励磁电流上升。二极管D2由于反向偏置被关断。

〔t0－t1〕段t0时刻开关S1关断，随着电感电流iL1下降到0，储存在电感L1中的能量转移到电容C1。在这个阶段，D2导通，所以储存在Lm中的能量转移到输出电阻。励磁电流下降。

〔t1－t2〕段t1时刻iL1下降到0，但励磁电感Lm中的电流iLm可能还没到0，假设在t2时刻iLm下降到0，则二极管D2关断。

为了获取输入电流的低谐波畸变，L1必须工作在DCM，也就是说，iL1必须在开关S1再次导通前下降到0。通常情况，Lm可以工作在DCM或者CCM。但是CCM工作存在轻载直流母线电压过高的问题。所以在设计中应使L2工作在DCM状态下。

3 理论推导

3..1 直流母线电压的理论推导

根据电感L1的伏秒平衡，得到

DTs=(1)

式中：uin(t)为输入电压瞬间值；

L1为Boost电感；

Ts为开关周期；

DTs为开关导通时间；

Uo为输出电压；

Ub为直流母线电压(bus voltage）；

n为变压器匝比；

D1Ts为电感电流的续流时间(D式（1）化简得

D1=(2)

通过电感电流围成面积计算，可得

Iav(sw)=（3）

式中：Iav(sw)为输入电流的开关周期平均值；

Ip为输入电流一个开关周期的峰值。

把式（2）代入式（3），并令Ip=，得到

Iav(sw)=D2uin(t)（4）

令T为工频周期，则电路输入功率Pin可由式（5）得到

Pin=Iav(sw)uin(t)dt（5）

令uin=Upsin(ωt)，把式（4）代入式（5），得到

Pin=sin2(ωt)dt（6）

而输出功率Po为

Po=（7）

式中：L2为原边励磁电感，L2=n2Lm；

fs为开关频率。

把Ip=代入上式，得到

Po=D2Ts（8）

不考虑损耗，由Pin=Po可得

dt=1（9）

通过上式，把已知条件(输出电压12V，n=7，开关频率50kHz)代入，就可以通过解方程得出直流母线电压Ub。图3为在不同条件下计算后所得到的直流母线电压图，横坐标是输入电压有效值（V），纵坐标是直流母线电压值（V）。

图3 直流母线电压变化图

3.2 输入电流PF以及THD计算

如果令α=，且Uin=Upsin(θ)，则式（4）可变为

Iav(sw)=（10）

这就是输入电流的具体表达式。如果在输入电压90V，输出电压12V，L1/L2=0.5，n=7，开关频率50kHz时，通过式（9）得到直流母线电压为151.628V。这时α=0.382，如果令输入电压是标准正弦波，且与输入电流同相，则通过对式（10）进行傅立叶分析，可以得到输入电流功率因数PF=0.98。总谐波畸变（THD）的计算公式为

THD=×100％（11）

可得到THD=4.12％

4 实验结果

实验中，输入电压为90～250V，输出电压12V，输出功率72W，L1/L2=0.4，n=7,开关频率50kHz。图4是在输入电压90V时，本单级PFC实验的输入电压和电流波形图。图5是在该实验参数下的直流母线电压理论值与实验值的比较，实验中得到的直流母线电压值要比理论值小一点。这主要是由于没有考虑具体电路的损耗引起的，如果令Po=kPin加以调整，可以得到系数k，这个系数随着电路拓扑的不同而不同，可以根据具体情况灵活运用。