长江存储量产，拉开国产闪存产品大幕！

2018年底长江存储实现32层64Gb 3D NAND Flash量产。它注定将开创中国存储芯片的历史。

早在2014年10月，武汉新芯（现长江存储全资子公司）启动3D NAND项目，随后2015年进行9层3D NAND测试芯片通过电器性能验证。

2016年7月32层3D NAND测试芯片T/O设计完成。同时，长江存储成立，年底国家存储器基地项目正式开工建设。

2017年7月，32层3D NAND芯片T/O设计完成，同年9月国家存储器基地项目一期工程提前封顶，2017年11月32层3D NAND芯片完成首次验证。

2018年4月长江存储机台正式搬入仪式

在2018年底长江存储实现32层64Gb 3DNAND 小规模量产后，根据规划2019年将量产64层128Gb的存储器，并同步研发128层256Gb的存储器。

自去年底，装上国产闪存芯的存储产品就开始亮相，作为首批搭载中国闪存芯的产品显得非常珍贵与令人振奋。

这款U盘里面嵌入的正是中国第一颗32层3DNAND闪存芯片。

据早前消息，长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GBUSB存储卡产品。

我们将陆续看到基于国产闪存的U盘、SSD固态硬盘、eMMC等产品面市。

去年，嘉合劲威曝光了一款SSD固态硬盘，这应该是关于国产SSD最早的消息。据悉，光威弈系列SSD由嘉合劲威和国科微联合出品，采用了国科微的主控GK2301和紫光存储的3D NAND闪存。

当时，光威弈系列SSD还未上市。而许多闪存主控芯片厂商按耐不住国产存储巨大的机遇，纷纷推出SSD主控芯片。例如得一微的SATA3.2和PCIe固态硬盘控制芯片，忆芯推出了消费级、企业级、数据中心等不同的主控芯片方案等等。

眼下，三星、美光、SK海力士、东芝、西数等均在2018年底至2019年陆续量产96层3D NAND，长江存储今年仅量产64层产品，不过在96层之后各家都面临128层3D NAND的研发。而长江存储也计划跳过96层，直接研发128层3DNAND，与国际大厂拉近距离。毕竟，前述五家厂商占据市场绝大多数份额。

传统3DNAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3DNAND更高的存储密度。

长江存储已成功将Xtacking技术应用于其第二代3DNAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。

由此可以看出，Xtacking技术加持下，长江存储128层3DNAND的研发具备了一定的优势。

随着国产闪存芯片的量产，相关产业链已经开始连动，更多的产品将相继推出。