派更半导体公司高掷数射频开关可为测试与测量设计提供无可比拟的灵活性和高性能

派更半导体公司推出的UltraCMOS® SP6T、SP8T和SP12T开关专为新一代测试与测量设备打造，可提供业界领先的高性能与灵活性

RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化的SP6T、SP8T和SP12T吸收式开关旨在满足下一代测试和测量仪器的需求，宽频范围可达9kHz~8GHz，并配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。派更半导体推出的全新高掷数射频开关具有低插入损耗、高隔离度、一流线性度，及快速开关时间与安定时间等特征，拥有业内领先的高掷数配置性能规格与灵活性。UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512是滤波器组切换及信号发射/接收（T/R）路径切换等测试与测量应用程序的理想选择。

派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示：“派更半导体推出的全新SP6T、SP8T和SP12T开关实现了无可比拟的高掷数配置灵活性与高性能。基于较宽的频段范围及外接VSS脚，我们的团队对PE42562、PE42582和PE42512进行了优化，使其能够满足测试与测量市场的独特需求。测试与测量工程师们可借助这些高掷数开关，使自己的设计兼具高性能、可靠性与灵活性。”

这些高掷数开关产品具有一种先进的功能，即镜像端口选择功能，可通过单一控制总线实现射频路径同步选择。在双开关配置中，可使用两只高掷数开关，而无需使用多只单刀双掷（SPDT）开关。只需将一只开关的逻辑选择（LS）脚接地，第二只开关的LS脚“留空”，即可激活镜像端口选择功能。这一简化布局（一个逻辑控制信号同时发送至两只开关）可大大节省电路板空间和布局时间。了解镜像端口选择功能的更多信息，请登陆派更半导体公司网站下载“应用说明68：双开关配置中的同步路径选择”（ApplicaTIon Note 68： Simultaneous Path SelecTIon in a Dual-switch ConfiguraTIon）。

UltraCMOS PE42562（SP6T）、PE42582（SP8T）及PE42512（SP12T）开关适用于测试与测量应用程序，可覆盖9 kHz至8 GHz的频段范围。这些吸收性开关配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。这些高度灵活的开关在整个频段范围内都具有极高的端口间隔离度及较低的插入损耗。每只高掷数开关的高线性度可达60 dBm IIP3，连续波（CW）功率处理能力高达33 dBm，快速开关时间仅为200纳秒以内，并可实现快速的安定时间。

PE42562和PE42582均采用24引脚4x4 mm QFN封装，PE42512则采用32引脚5x5 mm QFN封装。样片与评估工具现已上市，量产零件将于3月底上市。订购1万片的价格为每只PE42562（SP6T）开关4.99美元，每只PE42582（SP8T）开关5.87美元，每只PE42512（SP12T）开关10.28美元。

除这三种高掷数开关外，派更半导体还推出用于无线基础设施和目录市场以及扩展温度范围应用程序的具有卓越性能的高掷数射频开关。请访问派更半导体网站的新闻网页（http://www.psemi.com/newsroom）阅读相关新闻稿，并获取有关产品的视频与影像。

派更半导体公司隶属于村田制作所旗下，是射频SOI（绝缘体上硅）技术的创始人，也是领先的高性能射频集成解决方案的无晶圆厂供应商。自1988年以来，派更及其创始团队始终致力于完善UltraCMOS®技术。UltraCMOS®技术是派更半导体在SOI领域内拥有专利权的先进技术，可提供解决射频市场最大挑战所需的性能，如线性度。通过提供具有最佳性能的单片集成方案，派更半导体公司的产品已成为汽车、宽带、工业、物联网、移动设备、智能手机、空间技术、测试和测量设备及无线基础设施等市场领军者值得信赖的不二选择。派更半导体于2014年12月正式成为村田制作所旗下一员。截至目前，派更半导体拥有300多项专利和正在审批的专利，并已向市场交付35亿个UltraCMOS。欲了解更多信息，敬请访问http://www.psemi.com。