美国银行/美林证券指出,在过去五年中射频芯片产业每年以 20%的速率保持增长,今年因苹果 iPhone 6S 等智能手机的需求疲弱出现了下滑。但据半导体市场调研机构IC Insights最新发布的2016年IC市场报告显示,2016年中国手机厂商出货量全面爆发,全球12强中占据8强,表现十分抢眼。中国智能手机已经成为全球智能手机市场的中流砥柱。射频芯片产业在中国已然高速增长。
“Qorvo在未来的5G 射频市场将拥有很多领先的技术,比如非常适合毫米波器件的氮化镓(GaN)工艺。不仅如此,现在多频多模LTE手机,特别是运营商最新要求的载波聚合等技术,都需要大量用到BAW(体声波)滤波器,一个手机中就要用到多颗BAW,这也是Qorvo非常领先的领域。”Qorvo全球总裁兼首席执行官Bob Bruggeworth表示,“这些领先的技术将会为Qorvo贡献越来越多的销售额与利润。”
据报道,5G的部分频段会采用毫米波,并且速度达到几个Gbps以上,这确实对于手机的RF器件挑战非常大,氮化镓(GaN)技术对于这种5G应用特性将具有极大的优势。而Qorvo是雷达上氮化镓器件的最主要供应商。Qorvo生产各种半导体材料器件,例如GaAs、GaN、Si等,从前段制程到后段封装测试,Qorvo都拥有全部的技术。
非常幸运的是,Qorvo公司最高技术权威高级Fellow Bill Roesch今年循例来为华为工程师讲课,且8月29日下午在香港科技大学深圳产学研大楼主讲一堂对社会开放的技术培训课,主题是:GaN、InP、GaAs等III-V族复合半导体在大功率RF元件领域技术趋势和可靠性挑战。免费听课机会难得,但席位有限,仅开放50个名额,先报名者先得。
主办单位:电子发烧友
协办单位:创客射频空间、深圳市通信学会、华强智造
时间:2016年8月29日 13:30-16:00
地点:香港科技大学深圳产学研大楼2楼210教室
深圳市南山区高新技术产业园区粤兴一道9号
主讲人:Bill Roesch
职位:Qorvo公司高级Fellow
主题:III-V元件的技术趋势和可靠性挑战
背景:1)IEEE和可靠性社团成员;
2)具有31年历史的复合半导体可靠性工作室执行委员会成员;
3)IEDEC JC-14.7活跃成员;
4)专利:发现引起GaAs氢降解的实际失效机制。
发明:1)检测过孔的加热器设计;
2)基底过孔的龟裂检测器。
培训讲座日程:
13:30-14:30 嘉宾签到交流
14:30-15:30 Bill Roesch 讲座
15:30-16:00 嘉宾问答环节
现场专业翻译,让您沟通无障碍!
报名请扫描或点击二维码:
了解讲座详情:https://www.elecfans.com/event/1005.html
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