Vishay宣布升级模拟开关产品的制造工艺,显著提高器件的性能和寿命

Vishay宣布升级模拟开关产品的制造工艺,显著提高器件的性能和寿命,第1张

  2016 年 9 月2 日 ,日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将多个Vishay Siliconix模拟开关产品升级到了新工艺,大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅技术,全面提高器件的性能参数,并且保证未来有很好的使用寿命。Vishay的模拟开关和复用器产品线始于二十世纪60年代,这次工艺升级表明Vishay将继续支持这些产品。
  Vishay Siliconix新发布的增强型模拟开关和复用器在高密度18V工艺上进行设计。这种工艺不但能让使用Vishay现有的12V系列产品的客户顺利过渡到新产品,而且使Vishay开发出更复杂,用于灵敏的模拟设计的新型精密模拟产品。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2570621.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-07
下一篇 2022-08-07

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存