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瑞萨电子株式会社宣布,推出基于65nm SOTB((薄氧化埋层上覆硅)工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术,可提供1.5MB容量,是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS(双晶体管-金属氧化氮氧化硅)闪存(注1)。通过引入全新电路技术来降低闪存中外围电路的功耗,实现了在64 MHz的工作频率下低至0.22 pJ/bit的读取能耗——这是业界嵌入式闪存在MCU上的最低水平。用于外围电路的新低功率技术包括:(1)在检测存储器中的数据时降低能耗;(2)在将读取的数据发送到外部时减少传输能耗。该先进技术帮助读取存储器数据时的能耗大幅降低。
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