电平转换器 *** 作需要考虑三种状态

有一种电平转换电路可以轻松的实现3.3V到5V，12V的电平转换，暂时还没尝试。电路如下：

其中注意事项如下：

上图中，S1，S2为两个信号端，VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压。另外限制条件为：

1，VCC_S1《=VCC_S2.

2，S1的低电平门限大于0.7V左右（视NMOS内的二极管压降而定）。

3，Vgs《=VCC_S1.

4，Vds《=VCC_S2

对于3.3V和5V/12V等电路的相互转换，NMOS管选择AP2306即可。

此系统，慢速系统中可以应用。

原理如下：

电平转换器的 *** 作

在电平转换器的 *** 作中要考虑下面的三种状态：

1 没有器件下拉总线线路。“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的门极和源极都是3.3V，所以它的VGS 低于阀值电压，MOS-FET 管不导通。这就允许“高电压”部分的总线线路通过它的上拉电阻Rp 拉到5V。此时两部分的总线线路都是高电平，只是电压电平不同。

2 一个3.3V 器件下拉总线线路到低电平。MOS-FET 管的源极也变成低电平，而门极是3.3V。 VGS上升高于阀值，MOS-FET 管开始导通。然后“高电压”部分的总线线路通过导通的MOS-FET管被3.3V 器件下拉到低电平。此时，两部分的总线线路都是低电平，而且电压电平相同。

3 一个5V 的器件下拉总线线路到低电平。MOS-FET 管的漏极基底二极管“低电压”部分被下拉直到VGS 超过阀值，MOS-FET 管开始导通。“低电压”部分的总线线路通过导通的MOS-FET 管被5V 的器件进一步下拉到低电平。此时，两部分的总线线路都是低电平，而且电压电平相同。

这三种状态显示了逻辑电平在总线系统的两个方向上传输，与驱动的部分无关。状态1 执行了电平转换功能。状态2 和3 按照I2C 总线规范的要求在两部分的总线线路之间实现“线与”的功能。

除了3.3V VDD1 和5VVDD2 的电源电压外，还可以是例如：2VVDD1 和10V VDD2。在正常 *** 作中，VDD2必须等于或高于VDD1（在开关电源时允许VDD2 低于VDD1）。

R1可以省去，或者降到100欧姆一下，不然影响速度。？？？？

gate上的电阻，主要还是怕万一mos烧掉会拖累烧掉电源吧，这种线路也不可能用来做高速应用的，这就够了。

思路引用amos电子论坛。