开关电源 控制芯片
高性能准谐振开关电源控制芯片DK212成熟型方案替换亚成微高性能准谐振开关电源控制芯片DK212 是一款符合 6 级能效标准的次级反馈,反激式 AC-DC 高性能准谐振开关电源控制芯片。芯片内置高压功率管,芯片内还包含有准谐振检测、SLEEP 超低待机、自供电等电路,并具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片采用高集成度的CMOS 电路设计,具有外围元件极少,变压器成本低(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。
高性能准谐振开关电源控制芯片DK212产品特点
全电压输入 85V—265V。
内置 700V 功率管。
专利的自供电技术,变压器无需外部供电绕组, 无需启动电阻( 降低成品成本) 。
特有的 SLEEP 技术使芯片具有超低的待机功耗。
内置 PWM 准谐振电路,增加电源转换效率和保证良好的 EMC 特性。
过温、过流、过压以及输出短路,次级开路,光耦失效保护。
4KV 防静电 ESD 测试。
高性能准谐振开关电源控制芯片DK212应用领域
12W 以下 AC-DC 应用包括:电源适配器、充电器、电磁炉、空调、DVD、机顶盒等家
电产品。
极限参数
供电电压 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V 供 电 电 流 VDD …………………………………………………………………. 100mA 引脚电压 …………………………………………………..... -0.3V--VDD+0.3V 功 率 管 耐 压 …………………………………………………………... -0.3V--730V
IS 最 大 电 压 ....……………………………………………………………… 400mV 总 耗 散 功 率 ………………………………………………………………1000mW 工作温度 ………………………………………………………. -25 ? C--+125 ? C 储存温度 ………………………………………………………. -55 ? C--+150 ? C 焊接温度 …………………………………………………………….+280 ? C/5S
高性能准谐振开关电源控制芯片DK212上电启动:
芯片内置高压启动电流源;上电启动时当 VDD 电压小于启动电压时,打开三极管对外部的 VDD 储能电容 C4 充电。当 VDD 电压达到启动电压 VCC_St ar t 的时候,关闭启动电流源, 启动过程结束,控制逻辑开始输出 PWM 脉冲并检测 I S 电阻,当 I S 接电阻 RS 对地时, 设定最大峰值电流 I p_Max=Vli m/ RS(Vli m 是 I C6 脚内部检测电压最大值) ;当 I S 脚直接接地时,设定最大峰值电流为 I p_Max=700mA ;
软启动:
上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和次级整流管应力过大,芯片内置软启动电路,在软启动时初级峰值电流最大为 0. 5 倍最大峰值电流。
高性能准谐振开关电源控制芯片DK212采用准谐振输出方式,当检测到 OC 谐振到最低电压时,开通 PWM 输出,打开开关管给电感充电,这样减小了开关管的开关损耗,提高了电源的转换效率。
高性能准谐振开关电源控制芯片DK212FB 检测和反馈控制:
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