Qspeed硅二极管能协助克服高成本、低性能的电源设计挑战

Qspeed硅二极管能协助克服高成本、低性能的电源设计挑战

基于项目的各种限制约束，设计人员在元器件选型过程通常会作出这样或那样的折衷。譬如，在设计一个电源时，最明显的是想使用高端一点的元器件来改善效率，但成本有限；提升开关频率，效率却又会因此出现下降，更引入EMI问题；尝试使用最便宜的东西吧，系统成本未必因此而下降，因为可能为了弥补性能，在小元件上省了钱，却需要更高成本的大元件来弥补；要降低系统工作温度以提高设计的可靠性，可电路板空间却捉襟见肘，而且会相应增加成本。

近日，Qspeed半导体推出H系列组件，协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战。基于硅工艺的Qspeed半导体工艺二极管，其工艺使用专有的混合了肖特基和PN结的架构，因此相对SiC二极管具有成本优势，而相对传统的超快速二极管(ultra-fast diode)又具有性能优势。

Qspeed半导体首席执行官Mike Heitzman表示，其新款600V H系列二极管，主要用作PFC(功率因数校正)整流器，拥有更低的反向恢复电荷(QRR)，在高温下将其转换损失降至最低，是目前市面上最高的转换效率的硅二极管，因此适用于覆盖计算机、液晶/等离子电视、通信的前端开关系统以及马达驱动和电灯镇流器等多种应用。

由于Qspeed 600V的H系列的3A-12A二极管产品拥有比前代产品更低的QRR温度系数，能在高温下将其转换损失降至最低；还可提供更低的正向电压降低传导损耗以及拥有变化幅度较为缓和的恢复波形。因此，它能够改善PFC模块效率，而且无需使用或缩小缓冲器(snubber)，从而使系统效率得到提升。此外，由于Qspeed的硅工艺二极管还可带来更低的 *** 作温度、更少的组件、减少电路板与散热片的需求，以及降低电磁干扰（EMI），故适合用来提高电力密度、降低成本以及改善其可靠性。而此新款组件采用内部隔离的TO-220封装，集成热敏电阻，更能让此系列组件扩展至12A。

Mike介绍，由于Qspeed的硅二极管具有优异的转换效率，一般在缩小PFC MOSFET仍然使系统具有上述优势。据透露，其一个客户就做过这样的比较，由于他们在设计当中使用Qspeed的硅二极管替代了超快速二极管，从而可以使用12A/15A的MOSFET替代原来的21A 的MOSFET，这样使系统达到了一样的效果，但系统成本减低的同时，设计的发热量也明显减少。