IR推出采用TSOP-6封装的HEXFET MOSFET系列产品

　　国际整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，简称IR） 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。

　　全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻（RDS（on）），能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。

　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列，与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成，为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻，因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET，有助于减少电路板面积和系统成本。”

　　所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 （MSL1） 业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS），不含铅、溴化物和卤素。

　　产品规格

　　新器件正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站 www.irf.com 。