氮化镓助力快充小型化，KEMET聚合物钽电容大显身手！

高功率快充在近几年成为了充电市场的当红炸子鸡。前段时间小米推出的新款氮化镓快速充电器更是引爆了快充小型化的潮流。

通过选用高功率体积小的氮化镓芯片，搭配高能量密度和小体积的阻容感，使充电器拥有了超小体积。

氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物。相比传统硅基半导体，有着更出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

下图是近年快速充电头小型化的发展进程：

小米GaN充电器采用2颗KEMET聚合物钽电容（100uF/ 25V）并联使用作为输出滤波。与传统使用的铝电解电容相比，输出更加稳定且体积能够减小75%。

图源：充电头网

在空间不受限的情况下，也可以使用聚合物铝电解电容，KEMET同样可以提供此类产品。

KEMET产品在充电头中的应用

除了用作输出滤波的聚合物钽电容和聚合物铝电解电容，在输入端，基美也可以提供安规薄膜电容和安规陶瓷电容。此外，在输出端的整流滤波上可以选用KEMET X7R贴片陶瓷电容。

具体推荐系列如下：

01、T521系列聚合物钽电容

T521有机电容器是具有导电聚合物阴极的固体电解电容器，具有体积小，低ESR，高电容等特点。与液体电解质的电容器不同，T521系列具有非常长的使用寿命和高纹波电流能力。

容值范围：4.7~1，500 µF

工作温度：−55℃~125℃

电压范围：2V~75V

主要应用：DC / DC转换器；音频/声音电路；电源输入输出；便携式电子设备；WiFi模块；电信；消费类电子产品，空间受限的密集电路，微处理器去耦和高纹波电流应用。

02、A750系列聚合物铝固体电解电容器

A750系列铝电解电容在较宽的温度范围内具有更长的使用寿命和更高的稳定性。消除了因干燥而导致爆炸的风险，并且由于其低ESR特性，在正常 *** 作期间能够承受较高的纹波电流。

电容范围：47~2，200 µF

额定电压：2.5V~63V

工作温度：−55°C ~+105°C

主要应用：手机充电器，计算机主板，服务器和适配器（笔记本电脑电源）

03、R46系列X2薄膜安规电容

R46系列由金属化聚丙烯薄膜制成，认证：ENEC，UL，cUL，CQC，具有自愈特性。

额定电压：275 VAC 50/60 Hz

电容范围：0.01~10 µF

引线间距：10.0~37.5毫米

电容容差：±20％，±10％

工作温度：−40°C~+110°C

主要应用：用于需要X2安全等级的跨线应用中的电磁干扰（EMI）抑制

04、CAS系列贴片安规电容

CAS系列贴片安规电容器专门为抑制干扰的交流线路滤波应用而设计， 这些电容器非常适合要求将潜在破坏性或破坏性的线路瞬变和EMI保持在易受影响的设备之外的应用。

电容范围：3.0pF~22nF

额定电压：250VAC

工作温度：−55℃~125°C

主要应用：线到线（X类）过滤，线对地（Y类）滤波，天线耦合，初级和次级耦合（开关电源），线路干扰抑制（电动机和电动机控制，继电器，开关电源和逆变器）

05、X7R系列高容值贴片陶瓷电容

KEMET X7R MLCC最高工作温度125℃，容值变化小，适合于旁路和去耦应用，或用于对Q和电容特性稳定性要求不高的鉴频电路。

容值范围：10 pF~47μF

工作温度：−55℃~+ 125℃

主要应用：去耦，旁路，滤波和瞬态电压抑制