恩智浦两套方案获得“2013中国年度电子成就奖”

　　恩智浦半导体业界首款Doherty架构超宽带射频解决方案和双通道Power-SO8 MOSFET方案，近日分别荣获业界殊荣，摘得由环球资源（Global Sources）旗下《电子工程专辑》于今年3月1日颁发的 “2013中国年度最佳射频/无线产品奖”和“2013中国年度最佳功率器件/电压转换器产品奖”。

图片： 恩智浦半导体高性能RF产品线国际产品市场经理潘璠（中），代表公司在颁奖典礼上接受环球资源首席分析师孙昌旭女士（左）、 环球资源运营及业务开发副总裁Graham Kelly 先生（右）的颁奖。

　　《电子工程专辑》颁发的“中国年度电子成就奖”，在业内具有极高的知名度和权威性。本届“年度最佳产品奖” ，不仅表彰年度为工程师带来重要设计效益的半导体或元件产品，更旨在通过最佳半导体产品评选，推动中国电子产业发展。环球资源旗下企业联盟 eMedia Asia Limited总裁石博廉 （Brandon Smith） 先生表示：“‘中国年度电子成就奖’旨在表彰对中国大陆电子产业及技术发展做出贡献的人士及企业，所有得奖者及入围者在提升中国电子产品的设计及性能方面都起到了非常重要的作用。”

　　该最佳产品奖项由《电子工程专辑》评审小组评选出入围名单，并由中国大陆工程师社群在网上投票而得出，真实反映了业界对于获奖产品的褒奖与肯定。恩智浦全波段UHF Doherty架构射频方案以其独一无二的技术，令数字发射机制造商用户能够享受到Doherty功率放大器提供的高效率增益，并得到极大扩展的带宽。Power-SO8 MOSFET具备市面上最佳的性能、电流处理能力和可靠性，大大减少了PCB板占位面积，令用户实现更多设计自由。恩智浦这两款产品以创新的架构、成熟的开发环境和市场应用潜力，勇夺“2013中国年度电子成就奖”的“最佳产品”殊荣。

　　相关链接：

　　l 恩智浦高性能RF产品技术专区，请访问：http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/overview.html

　　l 恩智浦MOSFET产品，请访问：http://www.nxp.com/mosfets

　　l 视频：用于广播应用的高效Doherty架构：

　　http://v.youku.com/v_show/id_XNDY5NzIwNTI0.html

　　l 更多“2013中国年度电子成就奖”详情，请点击：http://www.eet-china.com/ace/index.html

　　关于恩智浦半导体

　　恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. （Nasdaq： NXPI） 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智慧识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2012年公司未经审核的营业额达到43.6亿美元。更多恩智浦相关信息，请登录公司官方网站http://cn.nxp.com/查询。