虽然JFET是适用于低成本高输入阻抗放大器的优秀器件,但存在着与温度有关的增益漂移问题。不过只要在-55℃至125℃温度范围内将漏极电流设为零漂移工作点就能改善这个问题。
我们针对此电路测试了多种JFET:索尼的2SK152-2、Interfet的IFN152以及Siliconix/Vishay/OnSemi的J309,因为它们都具有较高的增益和大约100pA的低栅极漏电流。这些JFET特别适用于1MΩ至1GΩ输入阻抗的放大器设计。这个电路可以轻松地工作到100MHz以上。
此电路的一个优势是工作温度范围很宽(采用JFET时可达-55℃至125℃)。IC1可以保持在室温环境下,用比如数英尺长的PTFE同轴电缆连接进行温度隔离。这样JFET就可以安装在非常冷的环境中以便获得最低的噪声,而低噪声是该设计的一个主要目标。
JFET Q1的输入信号馈送到通过R3偏置到地的栅极(在采用电流源输入情况下这个R3可以选用较低的阻值)。
JFET的源极通过基于IC1的电流到电压反相转换电路进行偏置。对大多数JFET来说将控制静态VGS的电压Vref设置在0到3V之间,目的是使漏极电流位于零漂移中点,这样能给输入信号提供较大的动态范围。通过调整,可以将Q1的Vref工作电流调整到约7mA至10mA,接近于零漂移点。为了设置正确,必须单独分析每个JFET的工作电流。比如对2SK152-2而言,我测试过的1000个JFET的工作电流都在7.5mA±1mA之内。
IC1是一个快速的电流反馈放大器(CFA):ADI公司±12V至±15V的AD812和±5V的AD8009都得到了成功使用。反馈电阻R2可以从500Ω至5kΩ,还要并联一个100pF的电容C1,以避免发生振荡和过冲。记住,放大器的输出由于偏置输出电路的原因有个电压偏移,因此最适合交流或脉冲信号。在R2/C1组合正确的情况下,10ns至100ns的上升时间是可行的。电流反馈放大器支持的工作增益范围是2到10,由电阻R2进行设置,当增益太高时,放大器容易振荡。
R1提供了测试输出,用于测量流过JFET的电流。它还能产生一个快速的50Ω输出,可直接连接示波器。输出信号与输入相比都是反相的——典型值是±100mV。对于直流偏置信号来说,栅极前面可以用一个约1nf至10nF的耦合电容。
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