怎样提高无线基础设施电源效率

损失的能量会产生热，因此必须在电路板上对其进行散热处理，这样便限制了紧凑型解决方案的诞生，同时也增加了延长平均无故障时间 (MTBF) 所需的散热冷却的成本。

如果电路板空间允许的话，则带有外部 MOSFET 的 DC/DC 控制器可以通过更低的电阻 MOSFET 来提高效率。请考虑低品质因数的功率 MOSFET，或者被栅极电荷倍增的导通电阻。一个最佳栅极电荷性能的 MOSFET 和一个传统 MOSFET 之间的功率耗差随开关频率渐增而越来越大。例如，含NEXFETTM 技术的功率MOSFET 可以提供 2 – 5 % 效率增益，因为门极充电和导通电阻特性改善了。

传统上而言，使用 OR-ing 功率二极管是组合电池备用或冗余电源来确保无线应用可靠性的一种简单方法。而使用 MOSFET 代替则可提供更高的效率，因为 MOSFET 的压降比二极管要低得多。例如，相比 OR-ing 二极管，通过使用 OR-ing FET 控制器，一个 12-V、5-A 的应用可节省多达 5W 的功耗。一个 12-V、20-A 的应用可节省 15W 的功耗。TPS2410 是一款全功能型 OR-ing FET 控制器，其可控制 0.8～16.5V 的电源轨。