CMOS射频前端未来市场如何？会面临什么问题

做Wi-Fi芯片厂商的国内外均有不少，但常见的Wi-Fi射频前端芯片厂商却不多，比如Skyworks（收购了SiGe）、、Microsemi、 Qorvo（由RFMD与Triquint合并而成，可能很多人还没有太习惯这个新公司名称）等。在这些公司中，有用GaAs/Soi/IPD工艺，有用 SiGe/SoI工艺，但目前只有RFaxis公司一家是采用纯CMOS工艺在单芯片上集成了完整的射频前端。

简单来说就是上面这张图，把PA、LNA、开关和外部元件都集成到单一的CMOS工艺的芯片中去。目前该公司推出单芯片射频前端可用于WLAN（2.4G和5G）、蓝牙、802.11n/MMO、WHDI及ZigBee等无线传输设备上。

将射频工艺转移到CMOS上来应该是长久以来不少人都曾想过的，在去年高通RF360集成CMOS PA之后，以硅为原材料的CMOS工艺得到射频领域的密切关注。

1. 成本——这一定是“消费电子化”的基础，若是前端比主芯片还贵，那是很难在消费电子领域生存下去的。RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan给出了一张晶圆成本对比图如下。这张图对比的只是大概的晶圆成本，芯片成本算下来基于CMOS的方案基本只占目前其他材料方案的大约在1/3 左右。

2. 产能——“消费电子化”一定要基于“标准”工艺，例如目前由于GaN生产线紧缺导致4G用的PA缺货，而若使用CMOS就不会出现这个问题。

3. 追随主流工艺才有成本下降空间。在2013年，晶圆代工厂的总营收为430亿美金，而GaAs的代工总额仅为10亿，RF的工艺从GaAs/SiGe向CMOS是不可逆的，这将解决历史性的供应链瓶颈难题。

4. 目前RFaxis采用的是0.18um的工艺，今年第四季度可提供40nm 802.11ac射频前端的样品。“我们不需要通过90nm等一步步的挨个工艺试下去，技术都是成熟的，具体采用哪种取决于应用。”Biagan表示。

5. The Death of GaAs？ 这是去年IMS上的一个专题讨论小组的主题，业界已经清楚的看到，虽然手机付运量在去年进一步增长，但GaAs器件的销售总额已停滞不前。

6. 功放现在还可能会用三五族做——例如GaN，GaAs之类的（已经很少用SiGe），LNA除非是用在军方或工业，消费产品的射频前端现在一定会用CMOS做。

7. 目前RFaxis的产品主要集中在WiFi和Zigbee及ISM，但未来很有可能进入LTE/CDMA射频前端。

除了制造工艺上的区别，目前还有竞争厂商大多采用多裸片封装在一起的模块，如GaAs HBT裸片、或HEMTSiGe HBT / BiCMOS裸片来做成一个标准的射频前端模块，但：

1. 做芯片的人往往忽略了一些被动器件，模块化的方案中不仅wire-bonding几块裸片，而且会增加电容、电感等被动器件在其中，ESD与散热的问题不容忽视！

2. 部分封装厂不接模块方案的单！RFaxis公司大中华及东南亚地区销售副总裁蔡玉书透露，像台湾日月光等封装厂，是不接模拟前端的封装的单的（可能是稳定性、干扰、良率等问题），部分模块方案的厂商只有去寻求其他小封装厂。

3. RFaxis的射频前端可以出售单颗裸片！RFaxis也有将射频前端的单裸片授权给无线模块厂商，从而帮助他们设计自己的微型SiP（系统级封装），这对物联网应用是个好消息。

4. IoT把电子带入时尚/农业/等领域，对于这类应用来说，只有最简单的设计方案才能被更容易的接受。

5. 当然集成化必然是牺牲了一定的灵活性，只适合一些大规模的普通应用，若是面对多类型的天线及主芯片，想要针对特殊应用取得个性化的性能，那还得靠设计者自己去依靠分立的方案。

此外，不仅积极推动在系统端的采纳，RFaxis最近还频频与各大WiFi/zigbee/BT主芯片厂商合作推出经过验证的设计方案，力图加速其产品在终端的应用。

Biagan表示，基于CMOS的RF前端，在2012年和2013年的市场容量为0，而今年即预计将达到200万美金，预计在2018年该市场达到1.8亿美金！四年时间几乎增长100倍！——这个预测会实现吗？