Cree 动出击收购英飞凌射频功率业务

总部位于美国的科锐(Cree)周二宣布以约3.45亿欧元(约4.28亿美元)收购英飞凌(Infineon Technologies)的射频功率(Radio Frequency Power)业务。交易3月6日生效。

Cree与英飞凌都是行业内领先的科技公司，各有所长。此次通过收购吸收英飞凌射频功率的团队和技术将扩充Wolfspeed现有的产品和技术，如产品设计、包装、制造和客户支持服务等。英飞凌则继续推动关键增长领域，如电动汽车，自动驾驶，可再生能源等。

这单交易涉及的资产包括：

英飞凌在美国加州Morgan Hill 的资产，当中包括了LDMOS 和GaN-on-SiC的封装和运营;拥有良好客户基础和领先无线基站制造设备经验的工厂、员工和驻点的支持人员;在美国Morgan Hill、Chandler，芬兰、瑞典、中国和南韩等地区的约260名员工;一个过渡服务协议，能够保证业务平稳过渡;在未来，英飞凌将会持续向Cree提供LDMOS晶圆和相关元器件给CREE.

Cree CEO Gregg Lowe表示：“通过这单交易，能够加强Wolfspeed射频部门在碳化硅基氮化镓技术的表现，同时能够为他们带来额外的市场、客户和封装经验。同时这也会加快Wolfspeed从4G向5G市场的转移。”

英飞凌CEO Reinhard Ploss表示：“Cree是英飞凌射频业务的优质买家，并在业内享有很高的声誉。我们对合并业务的理念和前景感到兴奋。与此同时，分拆了这个业务之后，我们将能够更有效地将资源集中在英飞凌的战略增长领域，并将为无线市场保留强大的技术组合。”

据悉，诸如5G等新一代蜂窝基础设施制式将采用高达80 GHz的频率。只有先进的化合物半导体器件能够在如此之高的频率下实现所需的效率。硅基氮化镓器件支持更高的组件集成度，在高达10 GHz的工作频率下具备明显优势。碳化硅基氮化镓器件可以在高达80 GHz的频率下实现最大效率。两种技术对于新一代蜂窝基础设施制式均十分重要。结合英飞凌的硅基LDMOS产品，在收购完成之后，Wolfspeed将成为业界最广博的射频功率组件供应商。

收购完成后，英飞凌RF Power业务将成为Cree Wolfspeed运营的一部分。Cree表示，预计该交易将在收购后的头12个月内增加约1.15亿美元的年收入，并在第一季度完成对非GAAP收益的增长。

Cree和英飞凌在技术、协作和共享商业利益方面拥有悠久的历史。这单交易最有趣之处就在于英飞凌曾经对Cree旗下最赚钱的功率和射频业务部门WolfSpeed提出过收购，但最终交易告吹。没想到一年后，Cree由之前的出售，变为现在的主动出击，动作之快让人措手不及。

2016年7月15日，英飞凌宣布将以8.5亿美元的现金收购Cree科锐旗下的Wolfspeed Power&RF部门。英飞凌看重Wolfspeed碳化硅技术。Woolfspeed是SiC功率及GaN-on-SiC射频功率解决方案的主要供应商，其核心能力包括SiC晶圆基板制造以及射频功率应用的SiC单晶氮化镓层。英飞凌认为其生产的SiC芯片在未来将逐渐取代传统芯片，尤其是电动和混合动力汽车。当时发出这个报道后，业界都认为英飞凌在全球的“商业帝国”越来越大，而在碳化硅领域也将实现“一家独大”的场面。

然而，2017年2月16日，Cree正式发布声明称将终止Wolfspeed电源和RF部门出售案件。缘由是美国审查主管机关(CFIUS)认为此项并购案将构成美国国家安全风险，Cree和英飞凌无法确定解决CFIUS关注的国家安全问题的替代方案，因此，拟议的交易将被终止。

此次Cree和英飞凌再次发起收购，足见双方意向的高度契合。

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