氮化物宽禁带半导体展现巨大应用前景

西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在AlGaN沟道HEMT器件研究领域取得重要进展，相关研究成果发表在IEEE Electron Device Letters上。近日，该成果被国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today专题报道。该论文的第一作者是西电博士研究生肖明，导师为张进成教授。论文的唯一署名单位为西安电子科技大学。

氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景，而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是，材料结晶质量差和电学性能低，是限制AlGaN沟道HEMT器件性能提升和应用的关键瓶颈难题。为此，团队提出并实现了一种具有三层缓冲层的材料结构，使得AlGaN沟道HEMT器件获得了当前国际最好水平的饱和电流、开关比（ION/IOFF）、最大跨导和电子迁移率等。该研究工作得到了国家重点研发计划项目（2016YFB0400100）的资助。

据了解，IEEE Electron Device Letters是半导体电子器件领域的顶级国际期刊之一，注重在器件新结构和工艺技术等方面的创新性。Semiconductor Today是总部位于英国，具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志，专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态。