基于多层压敏电阻阵列的滤波连接器设计

近来的革新出现了多层平面阵列的滤波式电容器，现在可实现如瞬态保护的功能。采用多层压敏电阻平面阵列起瞬态保护的滤波连接器为产品设计提供了一个可选方案。

　　压敏电阻

　　压敏电阻就是可变电阻。在较低的应用电压时，压敏电阻充当一个传统的高阻值电阻并服从欧姆定律，当超过一定的阈值电压后，该器件变得高度导电，在高电压时表现出低的阻抗。当压敏电阻导电时，它钳位外加电压到指定的最大值，该值是设备可以承受的。凭借这些特性，压敏电阻在电子产品中得到应用，保护电路远离瞬间过电压。在低电压时，压敏电阻类似于一个陶瓷电容器，正因为如此，它可以当作处理连续噪声的滤波器的一部分。那么，为什么压敏电阻器不经常使用在滤波应用中，使他们能够完成双重角色——即连续噪声衰减和瞬态电压抑制器呢？

　　压敏电阻脉冲等级

　　当把压敏电阻器用作滤波应用时，其限制之一是：其保护功能降级，这可能是电压浪涌重复性冲击的结果。

　　压敏电阻器是由陶瓷材料制成的。多数压敏电阻其主要成分是氧化锌（ZnO）。同时添加了少量其它氧化物，如铋，钴，锰等。因此，压敏电阻有时被称为金属氧化物压敏电阻或MOVs。

　　在制造过程中，原始的陶瓷粉末进行混合、成形，然后烧制。并用金属化来实现电气连接。在陶瓷的烧制过程中，形成了多晶结构（图1）。添加的金属氧化物移动到结晶体的边缘，形成半导电层P-N结。这意味着平均晶粒尺寸由原始粉末配方和烧制温度来决定。当单位晶粒边界的外加电压低于3.6伏特时，晶粒边界呈现高的电阻性。高于上述门限后，将进行切换变成高的导电性。

图1

　　压敏电阻本身的切换电压取决于电极间平均晶粒的数目。

　　压敏电阻的晶体结构没有方向性，因此，压敏电阻是双极性器件。它们表现出的电子特性，如对称性、尖峰电压击穿特性，类似于背对背齐纳二极管。传统的看法认为压敏电阻在高电流重复脉冲下会导致电气性能的降级，（特别是降低了其钳位性能，增加了它们的漏电流）。有一段时间，压敏电阻制造商要求使用大晶粒的陶瓷成分。大晶粒尺寸使得单位面积的电极有更少的晶体边界和电极之间有更长的电流路径。单位面积电极上的串联电阻相对较高，导致成比例地降低峰值电流的容量。

　　对在低电压下工作的压敏电阻表面贴装片，要求使用精细晶粒陶瓷成分，这个需求可以在多层结构下实现。当这一目标完成后，相对于多层结构提供的元件表面，连接到大电极面积上的细小和均匀的晶粒使得单元元件体积内峰值电流容量大幅的增加。

　　多层压敏电阻器（MLVs）的电流和能量比相对于其它压敏类型是非常稳定的，现在能够展示MLVs可以经受住成千上万次全额定电流峰值冲击，而性能不降级。

　　速度与过冲

　　各种瞬态保护技术的元件制造商希望采用他们喜欢的产品，反应速度、或不采用往往成为压敏电阻考虑的问题。压敏电阻基底材料的响应时间要远远少于500皮秒。

　　部分早期压敏元件反应时间降低的主要因素是成品封装时引起的寄生电感。在结构中使用了25至50毫米的引线，其表现出0.6nH/mm的电感，而高自感形成径向导线压敏电阻的特性。

　　现在，多层结构已消除引线，一个典型的电感为1200pH量级的1206MLV芯片的响应时间不超过1纳秒。其他元件的配置，如果成为滤波电容器的结构，对于压敏电阻是合适的，其等效串联电感（ESLs）应低至30pH。这些为响应时间下降到几十皮秒提供了可行性。

　　压敏电阻结构中固有自电感（L）所造成的另一个问题是电压过冲。由于压敏电阻自感（L）的原因引起变化的电流（di/dt），会产生-Ldi/dt的电压。在电压尖峰，压敏电阻器上将出现一个过冲（钳位电压和压敏电阻自感产生的感应电压之和）。减少MLV滤波器结构中自感到数十pH，可以消除所担心的电压过冲。

　EMI滤波器

　　针对辐射有效的措施是屏蔽。辐射噪声能量被屏蔽体吸收并以热的形势散失。针对传导有效的措施是EMI滤波器，将传导能量从受保护系统转到地里。（图2）。EMI滤波器由电容器和电感器组成，利用其不同的阻抗特性，来选择性的减少不必要的信号。

图2

　滤波器是双向的。它阻止不想要的信号远离系统，同时也阻止该系统向外发射噪声。现在一个比较普遍的做法是将滤波器装在设备的电路板上，但最有效的还是将滤波器放置在设备屏蔽体的出口和入口。连接器可以将电源和信号电缆并在一起，这样它们进入设备屏蔽体只在一个点处。在连接器内每一个接触的地方，都可以形成一个滤波器，根据系统的要求可以是C，T，L或Pi型结构。因为滤波连接器的使用可以去掉电路板级的滤波器电路，从而可降低整个系统的尺寸和重量。同时，由于焊点数量的减少，系统的可靠性得到提高。