东芝与西数投巨资扩产3D Nand Flash产能 雷军意外现身开幕式

　　7月15 日东芝偕同美国硬盘大厂西数（Western Digital）为日本三重县四日市新设的半导体二厂举行开幕仪式，同时也宣告东芝实现 3D Nand Flash 产能的扩张！

　　东芝官方指出，看好 Nand Flash 在智能手机、SSD 与其它应用领域的成长，新厂房将运用于 2D Nand Flah 到 3D Nand Flah 制程的转换。工厂也使用大数据分析，透过每天 16 亿笔资料的处理确保 3D Nand Flah 的品质与良率。

　　在开幕同时，两者宣布至 2018 年前将投入超过 8，600 亿日元（约 544 亿元人民币）在 Nand Flash 的投资与产能布建。

　　值得关注的是，小米董事长雷军也现身 15 日东芝新厂开幕典礼会场。

　　IHS 日前发布 2016 年第一季整体 Nand Flash 销售报告，三星在 Nand Flash 销售额达到 26.15 亿美元份额拉升至 42.1%，维持产业第一，东芝份额则约 28% 居于第二，美光、SK 海力士分别为 18.8%、10.6% 分居第三、第四。东芝为全球第 2 大 NAND Flash 厂商，市占率仅次于三星电子。

　　早前在7月6日，日经、韩国先驱报（Korea Herald）就报导，东芝打算与 Western Digital 在未来三年携手，对 3D NAND Flash 投资 1.5 万亿日元（相当于 146 亿美元）。根据双方协议，东芝、Western Digital 会在日本三重县四日市的现有合资厂房新增芯片制造设备，大多数的资金会用来安装 3D NAND 的制造设备。

　　东芝（Toshiba）统筹内存事业的副社长成毛康雄于7月 6 日举行的投资人说明会上表示，将冲刺 NAND 型快闪内存（Flash Memory）产量，目标在 2018 年度将 NAND Flash 产量扩增至 2015 年度的 3 倍水准（以容量换算）。

　　关于已在 2016 年度开始量产的 3D 结构 NAND Flash，成毛康雄指出，将强化 3D Flash 的生产，目标在 2017 年度将 3D 产品占整体生产比重提高至 5 成、2018 年度进一步提高至 9 成左右水准。