据《华尔街日报》报道,清华紫光集团将收购武汉新芯的大部分股权,新武汉新芯将改名长江存储技术有限公司(Yangtze River Storage Technology Co.),紫光集团将拥有这家新公司的50%股权,紫光集团董事长赵伟国则担任新公司的总裁。至于其他的股权,据透露,将由集成电路产业投资基金和武汉政府扶持的另一个基金共同持有。至此,紫光终于踏入了存储领域。
涉足新芯为的是国产存储和DRAM
作为近年来并购的常客,紫光集团的背景相信不需要给大家介绍。而武汉新芯承担着国内NAND-Flash的拓荒重任,这次和紫光的合作,在紫光财力和产业链的支持下,中国NAND Flash大有可为。
据公开的资料显示,武汉新芯2006年由湖北省政府和武汉市政府设立,作为一个重大战略投资项目的载体,资金投入额超过15亿美元,湖北省科技投资集团(Hubei Province Technology Investment Corp.)是其唯一所有人。该公司主要生产各种类型的NOR闪存,许多高管此前都在中国主要的芯片代工生产商中芯国际(Semiconductor Manufacturing InternaTIonal Corp. )任职。
本来武汉新芯也一直都是做Nor Flash的生产。但在今年三月份武汉新芯宣布,将投资240亿打造一个世界级的半导体存储企业,集中精力研究生产NAND FLASH和DRAM。
武汉新芯发言人在3月份的发表会上表示,240亿美元的投资将分三个阶段部署,第一家工厂专注NAND闪存生产,第二家工厂专注DRAM芯片生产,第三个阶段的设施将专为供应商服务。武汉新芯和Spansion去年在建立合作关系的联合声明中称,首批产品将于2017年上市销售。
近年来,随着智能设备的发展,对NAND Flah的需求渐增。但目前市场现状是NAND FLASH的晶圆芯片主要是由三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士5家大厂供应。据中国闪存市场网ChinaFlashMarket数据,2015年三星和东芝/闪迪合计已占据75%的NAND Flash市场份额,其产能的调整和市场策略变化将直接影响到市场的供需平衡。尤其是在中国,NAND Flash的需求更是步入了增长快车道。
作为全球电子信息制造业中心,中国的手机、闪存卡和闪存盘产量占全球产量的约70%,平板电脑产量占全球产量的90%以上。
根据中国半导体行业协会的报告,中国NAND FLASH市场份额已经达到全球52.4%。按照这个比例,2017年满足我国市场的需求的产能至少需要每月50万片。2020年,中国市场需求将达到每月120万片。可以看到,我国庞大的终端制造与消费市场为3D NAND FLASH提供广阔的发展空间。
而在早两年的斯诺登事件爆发之后,中国政府对半导体元器件国产化的重视程度日益提高。武汉新芯作为国内领先的存储制造商,在国内NAND Flash制造领域的领先地位无人可撼动。再加上新芯在去年曾经和飞索半导体签订了一份合作协议,共同开发下一代的3D NAND Flash芯片。
除了Flash以外,武汉新芯还有一个目标就是成为中国的DRAM专家。
据StaTIsta的统计,全球DRAM的销售收入在2015年上半年达到234.5亿美元,比2014年同期增长12.9%。研究机构ReportsReports.com的报告也显示,2015年到2019年间,全球DRAM市场的年复合增长率预计将达到13%。另一方面, 集邦科技指出,DRAM销售额仅下降了1.2%,并且移动DRAM的份额从33.7%增长到了40%。
智能手机,尤其是搭载高存储密度的设备,仍然是移动DRAM市场的主要增长力量。根据不同的设计,DRAM可以在178mb和4GB之间变化。物联网和云计算的流行也将刺激制造商开发更高密度的DRAM,以满足服务器和云计算领域的需求。
但这块广大的市场一直是韩国、美国和台湾企业主导。但就算是台湾,十年来已向DRAM芯片生产投入数百亿美元,但依然未获成功,结果是许多公司被竞争对手收购。因此对于武汉新芯和紫光来说,在这方面如何做突破,就成为业界的关注点。
(图片来自: dramexchange.com)
庞大的市场容量和需求,加上本身的技术积累,按照紫光集团的一贯投资逻辑,这次的收购在情理之中。
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