中国资本支出超十亿美元芯片厂将快速增加

电子发烧友早八点讯：根据 IC Insights 所发布的最新统计数据显示，2017 年资本支出超过 10 亿美元的半导体厂商预计将增加到 15 家，是 10 年来的最高点。 其中，除了德国英飞凌与日本瑞萨之外，包括欧洲意法半导体及台湾南亚科技预计也将成为 「十亿美元资本支出」 的俱乐部会员名单。

根据 IC Insights 的数据指出，2016 年只有 11 家芯片厂商在资本支出方面投入超过 10 亿美元。 而更早的 2013 年，这一数字则仅为 8 家。 因此，2017 年将成为自 2007 年以来，资本支出超过 10 亿美元之厂商数量最多的一年。 2007 年是全球金融危机爆发的前一年，那年总计有 16 家荣登 10 亿美元资本支出俱乐部的厂商。

IC Insights 的总裁 Bill McClean 表示，虽然这 15 家半导体企业占 2017 年全球半导体产业资本支出总额的 83%。 不过，在这 15 家公司当中，有一部分可能倾向于从 2018 年开始逐步下调资本支出金额。 他进一步解释，尽管三星、英特尔、台积电、SK 海力士、美光、中芯、联电、格罗方德以及东芝等 9 大全球性半导体厂商，一直保持着极高的资本支出金额。 但是，除此之外的其他几家新进加入俱乐部的厂商，恐怕只会在特定的几年中内投入超过 10 亿美元的资本支出。

McClean 特别针对南亚科表示，目前南亚科技受惠于 DRAM 市场需求的快速增加，因此有增加资本资出的需求。 而一旦市场趋于疲软，其资本支出金额将惠快速下滑至 10 亿美元以下。 另外，STMicroelectronics NV 也已经明确表示，2017 年的支出属于特殊情况。 至于，其他英飞凌、SONY 与瑞萨这些资本支出超过 10 亿美元的厂商，在未来的一到两年之间，资本支出金额也将会回落至这条标准线以下。

据IC Insights预估，2017年全球半导体产业中，将有15家公司的资本支出超过10亿美元，其中成长最明显的次领域别是内存，包含DRAM、SRAM与NAND Flash。 2017年DRAM/SRAM的投资成长幅度最大，将达31%；NAND Flash的资本支出则仍将维持在高档，以继续推动3D NAND Flash量产顺利进行。 2016年NAND Flash的资本支出高达146亿美元，远比DRAM的85亿美元来得高。

汽车电子的需求发酵，也使得英飞凌（Infineon）、瑞萨（Renesas）、意法（ST）等车用芯片一线供货商加码进行产能投资，因而挤进资本支出十亿美元俱乐部。 其中，瑞萨将在2017年创下自成立以来首度资本支出超过十亿美元的纪录。

McClean 另外也表示，随着中国各新兴半导体企业的崛起，而且预估未来数年内，中国本土将有超过 20 家拥有晶圆厂的半导体企业将正式投入量产阶段，而且中国政府亦也将计划在 10 年之内，投资超过 1，600 亿美元的资金，用以强化国内半导体产业的发展的情况之下，未来几年内中国很可能投入超过 10 亿美元的资本支出的芯片厂商将快速增加。

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