中国半导体产业有望借存储技术崛起，成为半导体的未来之一

　　为了推动自主存储芯片的发展，我国以国家战略和意志建设半导体产业链，至今为止我国仅能批量生产55nm级别的NOR Flash（NOR闪存），用于主板BIOS芯片等小容量、写入慢的逻辑芯片。3D NAND闪存也仅在实验室状态下，完成9层结构的存储芯片的存储器功能的电学验证。DRAM则干脆处于技术储备、规划当中，短期内无量产可能，如果靠我国纯正血统的技术、团队在几年时间追赶国外领先的存储芯片水平，其难度远高于我国的大飞机项目，且不论容量大小，不允许有任何失误。因此我们找到①技术的合作伙伴、②有经验的优秀团队以及③矽知识产权，将是加速我国存储芯片量产的三大关键因素。

　　中国完成DRAM技术飞跃的契机

　　据日经新闻报道，由日本尔必达的元社长坂本幸雄所设立的半导体设计公司兆基科技（Sino King Technology）和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，兆基科技将主导合肥市政府总额高达8000亿日元（460亿人民币（6.7180， 0.0130， 0.19%））的大规模半导体工厂兴建企划。新工厂将生产由兆基科技所设计研发、具备低耗电力的计算机内存（DRAM），计划在2018年下半年开始量产，以12吋晶圆换算的月产能达10万片的国内最大的内存芯片工厂。其实兆基科技现在只有10名日藉员工，从理论上讲应该是一个半导体设计公司，他们也准备从中国、日本和台湾三国招募1000名半导体技术人员。合肥的计划当然是政府振新半导体行业的一部分，但是合肥市政府如此巨额的投资，为什么要和一个刚建立不久且员工只有10名的无名小辈合作呢？社长坂本幸雄个人的魅力是一个很重要的一点，但最重要的原因应该和武汉新芯和飞索联合作获取3D NAND Flash生产技术一样，是为了获取DRAM的生产技术。日本尔必达倒产以后，生产DRAM的只有三星、美光和SK Hynix三巨头，紫光在美光收购和SK Hynix入股的接连失败后，兆基科技成为现阶段获取DRAM技术的唯一选择。

　　中国半导体选择存储芯片崛起的原因

　　中国半导体行业选择存储芯片作为崛起的突破口最重要的原因是迎合“大数据”和“云计算”时代的到来。根据野村证券的研报，现在世界在网络上的数据为8ZG（1ZB =270bit）左右，而其中15%的1.2ZB是储存在存储芯片里，90%由硬盘（HDD）存储，10%存储在像NAND那样的闪存里。到2020年，人类在虚拟空间积累的数据将达到44ZB，而且为了能对这些数据进行“云计算”，储存在闪存的数据将达到15ZB。这个数据是以现在NAND的价格为前提计算的，如果像3D NAND Flash那样的技术能提高存储容量和降低价格的话，2020年时闪存所占的比例将会为50%-70%，即22-30ZB左右，按此计算的话，月产10万片的超级工厂需要234座，而现在世界上只有15座，在未来的4-5年间，世界需要219座超级工厂，“大数据”和“云计算”时代会给以3D NAND Flash为代表的闪存带来几何式增长需求。

　　另一原因，一大半以上的“大数据”和“云计算”设备在中国生产应该是没有任何悬念，在生产阶段，中国将消费大部分的存储芯片。再则，随着中国“虚拟现实”、“互联网金融”等的发展，中国自身对存储芯片的需求也会成爆发式增长，这些“钢性需求”对新参的中国企业来说无疑是天赐良机。从战略层面上讲，现在是发展存储芯片难得的时间窗口。