日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。
该 UCC27511 与 UCC27517 驱动器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路,显著提高离线隔离式电源、电信模块、空调系统、UPS 以及便携式电动工具等应用的效率、可靠性以及电源密度。
UCC27511 与 UCC27517 的重要技术特性:
· 高电流驱动性能提高可靠性:UCC27511 支持高达 4 A 源极/8 A 汲极的驱动电流性能,而 UCC27517 则支持 4 A 源极/汲极峰值电流脉冲;
· 最快的开关速度:这两款驱动器都支持 13 纳秒 (ns) 快速典型传播延迟以及 9 ns/7 ns 升降时间,可实现极低的脉冲失真;
· 最小的开关损耗:0.375 欧姆(UCC27517 为 0.5 欧姆)下拉电阻不但可在电源开关转换通过 Miller Plateau 时最大限度减少开关损耗,而且还可在 Miller 接通时提高抗扰度;
· 高度的设计灵活性:支持 4.5 V 至 18 V 宽泛工作电压,并可在 -40C 至 140C 温度下确保电气参数。独立于 VDD 的最大输入电压可简化偏置电源架构。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)