准单晶-太阳电池技术概况_技术

1.准单晶技术简介

1.1传统的单晶硅和多晶硅技术

我们知道，单晶硅一般是采用直拉法(CZ法)制得，用特定晶向的单晶籽晶进行引晶，经过旋转提拉得到目标晶向的单晶硅棒，所得产品仅含一个晶粒，具有低缺陷、高转换效率等特点。目前，单晶硅电池片大规模生产的转换效率已经达到18%，但是该方法对原料及 *** 作要求高，且单次投料少，产品成本较高，太阳能电池衰减较大。多晶硅主要是采用定向凝固方法制得，单次投料量大，具有易 *** 作、低成本等特点，电池片衰减比单晶硅片小很多，但在传统铸锭条件下，在铸锭多晶中往往含有大量晶界及缺陷，使得多晶硅太阳能电池的转换效率较单晶硅电池约低1.5%~2%。

1.2准单晶技术

准单晶技术的核心是单晶铸锭技术，采用铸锭工艺生产出的类似单晶甚至全单晶的产品，将单晶硅及多晶硅的优势相合。相较于多晶，准单晶硅片晶界少，位错密度低;太阳能电池转换效率高达17.5%以上。与单晶硅片相比，准单晶电池的光致衰减低约1/4～1/2;投炉料大，生产效率高，切片工艺简单，成本低。

2.准单晶铸锭技术

2.1实现方法

实现铸锭单晶的方法有两种，如下：

(1)无籽晶铸锭。无籽晶引导铸锭工艺对晶核初期成长控制过程要求很高。一种方法是使用底部开槽的坩埚。这种方式的要点是精密控制定向凝固时的温度梯度和晶体生长速度来提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷却速度决定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因为需要控制的参数太多，无籽晶铸锭工艺显得尤为困难。

(2)有籽晶铸锭。当下量产的准单晶技术大部分为有籽晶铸锭。这种技术先把籽晶、硅料掺杂元素放置在坩埚中，籽晶一般位于坩埚底部，再加热融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降温，调节固液相的温度梯度，确保单晶从籽晶位置开始生长。

2.2温度控制和工艺控制

准单晶铸锭对温度控制和工艺控制提出了很高的要求。为了满足准单晶铸锭的要求，铸锭炉必须有严格的温度梯度及凝固速度控制，适合的界面形状，成核或单晶控制，流动控制。目前已有多个厂家可以提供准单晶铸锭设备，如绍兴精功JJL500/JJL660/JJL800(G6),美国GTDSS450HP/DSS650(G5)，北京京运通JZ460/JZ660(G6)，德国ALDSCU450/SCU800，法国Cyberstar650/800。另外，欧美日厂家如REC(ALD改进型)，SchottSolar(VGF)，京瓷(VGF类型)都有专门设计的炉子，效果不错。

其中ALD早期为BPsolar产品研发过设备。早在2006年，Bpsolar已围绕铸锭单晶这一主题做了较多工作，并开发了MONO2产品，其专利US2007/0169684A1报道了多种方法。其中有一种方法是将籽晶与硅料分开放置，将熔融硅液倒入铺有籽晶的容器中进行长晶。后由于其总公司将重点放在了化石燃料方面，Bpsolar终止了铸锭单晶的研究。

准单晶产品单个晶粒面积可达整张硅片的90%以上，位错密度比较低，部分硅片约95%及以上区域几乎无位错，边缘存在""带状""分布高位错区域，部分硅片中含亚晶现象。以昱辉virtuswafer产品为例：靠近坩埚面的区域为多晶，其他区域根据长晶体情况，若长晶体情况较好的话基本为单晶，如图1C所示。