英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程

英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程,第1张

根据Computer World报导,英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程,时间提前于台积电与三星等竞争者,巩固其半导体龙头的位置。日前,英特尔在盈余电话会议上宣布,为了进一步探索芯片生产工艺,公司将在今年建立一座 7nm 试验工厂。

根据Computer World报导,英特尔今年底就将开始导入 7 纳米晶圆制程,时间提前于台积电与三星等竞争者,巩固其半导体龙头的位置。日前,英特尔在盈余电话会议上宣布,为了进一步探索芯片生产工艺,公司将在今年建立一座 7nm 试验工厂。

 

台积电与三星今年均在努力提高 10 纳米制程良率,不过一般认为 10 纳米只是过渡,7 纳米才是主战场,包含 AMD、Nvidia 等大客户此前均曾暗示跳过 10 纳米、直接晋升 7 纳米,而台积电、三星还要等到 2018 年才会开始试产 7 纳米制程。

 

英特尔拥有最先进的晶圆厂,长久以来,英特尔一直都是芯片制造技术的领头羊,直至近几年才被亚洲后辈超前,但无论如何姜还是老的辣,看来英特尔已准备好抢回领先位置。

 

不过制程微缩越精细越难生产,因此 7 纳米初期的良率应该不会太好,预料英特尔刚开始只会少批量试作样本,借以了解制程瓶颈,并作为改进良率的依据。英特尔目前也还没公布 7 纳米产品的时间表,实际量产还有待后续追踪。

 

目前英特尔已经不再忧虑于在每一代芯片当中把晶体管数量翻倍了,他们现在对于摩尔定律的诠释更符合每晶体管成本相关的经济学,它可在产量提升之后降低。对于摩尔定律而言,这也是非常重要的一部分。

 

英特尔表示,他们将视图凭借着7nm工艺回到2年生产周期,同时使用更智能的芯片设计。7nm工艺将为芯片带来更大的设计变化,使其变得更小也更节能。英特尔计划使用奇特的III-V材料(比如氮化镓)来进行芯片生产,在提高性能速度的同时实现更长续航。

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