选择性发射极晶体硅太阳电池实现方法

　　所谓选择性发射极(SE-selecTIveemiter)晶体硅太阳电池，即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。

　　该结构电池的优点

　　1、降低串联电阻，提高填充因子

　　2、减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果

　　3、改善光线短波光谱响应，提高短路电流和开路电压

　　一 、印刷磷桨(云南师范)

　　特点：磷浆容易高温挥发，选择性不佳。也可以一次性实现选择性扩散。

　　二 、腐蚀出扩散掩膜层(南京中电)

　　特点：阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。

　　三、 直接印刷掩膜层(schmid，centrotherm)

　　特点：要求掩膜的印刷特性要好，抗氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schmid 的腐蚀法SE 电池交钥匙工程，centrotherm 的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。