硅谷创业公司希望用新技术帮助中国突破DRAM

众所周知，中国是智能电子设备的制造大国和消费大国。在美国、欧洲、非洲各地都能看到有中国特色的手机和电脑卖的红红火火；每年在拉斯维加斯举办的全球消费电子展CES上也都挤满了各个领域的中国厂商。然而，手机、电脑产的多卖的好并不代表中国在基础的半导体行业上就赶上了领先国家，而恰恰我们的大部分产品都还在用别人家的芯片和存储器。

而近几年，中国政府对于半导体行业的支持力度相当大。国务院曾在2014年6月颁发了《国家集成电路产业发展推进纲要》，要实现集成电路行业销售收入从2015年3500亿人民币以每年20%的增速达到2020年约8700亿人民币的目标。

那么，纵观全球总产值3500亿美元的半导体市场，哪一领域可能是中国快速提升的突破口呢？

记者采访了位于圣何塞的半导体技术公司Kilopass的CEO Charlie Cheng，通过他对业界的认知以及其公司的新技术来探讨一种中国半导体企业发展的可能性。

（Charlie Cheng）

DRAM市场有多重要

采访过程中Charlie首先谈到，3500亿美元的半导体市场中储存类产品占据将近1000亿美元的份额，而其中DRAM（动态随机存取存储器）更是占据约500亿美元的份额。如此大的市场，对于中国企业来说无疑有着巨大的开拓潜力。

然而，目前DRAM超过90%的市场份额被三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家海外大企业霸占。更重要的是传统DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅在制造上面临挑战，更重要的是被大量专利保护。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用创新的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。

Kilopass的VLT技术将改变DRAM产业格局

2016年10月，Kilopass正式推出垂直分层晶闸管（VerTIcal Layered Thyristor， VLT）技术。该技术对于DRAM产业可谓是颠覆性的。

（拥有专利的VLT存储器技术）

DRAM技术自2010年以来就放缓了前进的步伐，原因是当前基于1个晶体管+1个电容器（1T1C）的存储单元结构不是一个合理的解决方案。摩尔定律不适用于电容！

而通过VLT技术，DRAM制造成本将比目前顶尖的20纳米DRAM工艺降低45%。由于采用了垂直方式实现晶闸管架构，VLT使得存储单元变得更加紧凑。另外，VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM的待机功耗可以降低10倍。最为关键的是，VLT无需任何电容，避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突。

无需电容，更低成本，更低功耗，不受专利限制，VLT给DRAM产业带来的革新将是意义非凡的，这也或许是中国存储厂商弯道超车的一个极佳机会。