DRAM与NAND闪存等未来五年最看俏

内存市场日益扩大，研调机构 IC Insights 最新报告预测，DRAM 与 NAND 闪存等，未来 5 年年均复合增长率（CAGR）可达 7.3%，产值将从去年的 773 亿美元扩增至 1，099 亿美元。

报告将半导体区分成逻辑、内存，模拟与微组件（microcomponents）IC 等 4 种类型，在 5 年的预测区间内，以内存成长力道最为强劲，模拟 IC 以5.2%次之，微组件为 4.4%，至于台积电擅长代工的逻辑 IC 则仅有 2.9%。

IC Insights 指出智能手机等移动设备对低功耗内存需求激增，是驱动 DRAM 与 NAND 闪存成长的主要动能。除此之外，使用 NAND 闪存的固态硬盘（SSD）在数据中心、笔电的应用也日趋吃重。

三星 6 日公布 2016 年第四季财报，在 Note 7 自燃召回的状况下，营益竟然还能逆势跳增近 80%，就是因为受惠于内存价格大涨，将利润空间拉大。