传SK海力士72层3D NAND存储器明年量产

　　SK 海力士最先进72 层3D NAND 记忆体传明年开始量产，韩联社26 日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017 上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14 厂将可在下半年开始生产。

　　若按计划进行，海力士将成为全球第一个量产72 层3D NAND 的记忆体厂。为因应市场需求增温，海力士上周已宣布将在南韩与中国两地，投资3.15 兆韩圜来增加DRAM 与NAND 记忆体产能。

　　随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D 垂直方式堆叠记忆体做突破，但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于2013 年量产48 层3D NAND 记忆体，至于64 层3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

　　据市调机构DRAMeXchange 统计，三星第三季NAND 记忆体营收来到37.44 亿美元，市占率较前季进步0.3 个百分点至36.6%。东芝以19.6% 位居第二，Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4% 与9.8%。

　　3D堆叠/制程微缩竞争白热化NAND供应商技术差距缩小

　　NAND Flash记忆体供应商为满足客户不断增加的储存空间需求，正分别从制程微缩与3D堆叠两个方向来提升NAND Flash的储存密度，且彼此间推出新世代产品的时间落差预料将明显缩小。可以预料的是，未来固态硬碟（SSD）等NAND Flash应用的单位储存成本将进一步下滑，开拓出更大的应用市场。

　　资料显示，三星（Samsung）、东芝/闪迪（Toshiba/SanDisk）、美光/IM Flash与SK海力士（SK Hynix）等主要NAND Flash记忆体供应商，在2016年皆已进入3D NAND时代。其中，进展最快的三星已率先于2015年下半进入48层MLC时代，预计在2017年初提升到64层MLC、2018年中进入96层MLC；东芝/新帝则持续追赶三星，先在2016年追上三星目前的进度，并预期在2017年中推出64层MLC。

　　进展相对较慢的美光/IM Flash及SK海力士，则已于2016年进入32层MLC时代，并将在2016年底、2017年初推出48层MLC、2018年中推出64层MLC。但值得注意的是，美光/IM Flash还有一条采用3D X-Point新架构的产品线将在2016年中开始量产上市，未来将对NAND Flash市场产生何种影响，有待后续观察。

　　而在制程节点方面，目前四大NAND Flash芯片供应商均已进入1y纳米世代，彼此之间差异不大。在进入1z纳米制程的时间点方面，除了东芝/新帝将在2016年下半率先导入12纳米制程，成为业界第一家进入1z纳米制程世代的供应商之外，其他三家业者之间都预计在2016年底～2017年初进入12纳米，时间落差只在一季之内。

　　由于3D结构可显著提升NAND Flash芯片的储存密度，因此各家业者均戮力发展3D NAND Flash。研究认为，2016年各家业者的3D NAND Flash产出比重，将从2015年的6%提升到20%。

　　随着64层MLC与1z纳米制程陆续到位，2017年单一NAND Flash颗粒的主流容量要达到128Gb以上，预料将不成问题，届时SSD、eMMC等NAND Flash储存应用的容量规格也可望跟着升级，价格竞争力更上层楼。