富士通半导体量产可实现2.5kW电源的硅基板GaN功率器件

　　富士通半导体于日前宣布，利用配备该公司开发的硅基板GaN功率器件的服务器用电源，成功输出了2.5kW的高功率，同时还公布了 2013年下半年开始量产硅基板GaN功率器件的目标。该公司将在今后提出利用该器件的多种电源应用方案，力争2015年度凭借GaN功率器件实现约 100亿日元的销售额。

　　富士通半导体表示，该公司为了推进能够通过大口径化来降低成本的硅基板GaN功率器件业务，从2009年就开始开发量产技术。从2011年起该公司还开始向指定的电源业务与合作伙伴提供GaN功率器件的试制品，意在在电源装置领域实现优化应用。

　　富士通半导体还与富士通研究所共同开发了多项技术。其中包括，在硅基板上生长优质GaN结晶的工艺技术、用来抑制开关时导通电阻上升的电极设计优化等器件技术，以及支持GaN高速开关的电源装置电路设计技术。富士通半导体在采用GaN功率器件的评测用电源电路中，成功获得了超过以往硅器件的转换效率。另外，该公司还试制出了在功率因数改善电路部分配备GaN功率器件的服务器用电源，实际验证了输出2.5kW高功率的工作情况。

　　富士通半导体会津若松工厂的6英寸晶圆量产线已完成了启动准备工作，将从2013年下半年开始全面量产GaN功率器件。今后该公司将通过提供针对应用做了优化的GaN功率器件，并在电路设计方面给予技术支持，为开发多种用途的低损失、小型电源装置提供支持。该公司将通过这些举措，力争2015年度凭借 GaN功率器件实现约100亿日元的销售额。

　　富士通半导体将参展在2012年11月14日～16日于太平洋横滨国际会展中心举行的“Embedded Technology 2012/嵌入综合技术展”，届时将介绍该GaN功率器件。（记者：小岛郁太郎，Tech-On！）

　　试制的TO247封装GaN器件（左）以及形成有GaN器件的6英寸硅晶圆（右）。图片由富士通半导体提供。（点击放大）

　　在评测用电源电路中，此次的GaN器件与已有硅器件的电源效率差距（左），以及搭载此次GaN器件的服务器用电源的效率（右）。图片由富士通半导体提供。