基于MSP430F169的程控开关稳压电源的设计

基于MSP430F169的程控开关稳压电源的设计,第1张

  本系统以TI MSP430F169为核心,电压可预置,步进电压为0.1V,输出电压范围为20V~36V,输出电流为0~2A。可显示预置电压,实测电压,实测电流,实测效率。该系统主要由最小单片机系统,PWM信号控制芯片TL494,开关电源升压主回路,片上A/D以及片上D/A组成。系统通过键盘预置电压值送给TL494形成闭环反馈回路,采样康铜丝上的电压间接推算出电流并显示。本系统具有调整速度快,精度高,电压调整率低,负载调整率低,效率高,无需另加辅助电源板,输出纹波小等优点。

  一、方案论证与比较

  1.1 主控CPU的选择

  方案一:采用AT89S51单片机进行控制。51单片机外接A/D和D/A比较简单,但是由于51单片机功能简单,对于这种复杂的系统来说做起来比较复杂。

  方案二:采用超低功耗单片机MSP430F169,这是一个完全集成的混合信号系统级MCU芯片。内部集成12的A/D和D/A芯片,且这个单片机资源非常丰富。采用JTAG方式,可通过USB口在线下载调试,使用十分方便,并且低功耗便于整体效率的提高。

  1.2 DC-DC主回路拓扑的方案选择

  DC-DC变换有隔离和非隔离两种。输入输出隔离的方式虽然安全,但是由于隔离变压器的漏磁和损耗等会造成效率的降低,隔离变压器绕制复杂,所以选择非隔离方式,具体有以下几种方案:

  方案一:BUCK拓扑。见图1,开关管V1受占空比为D的PWM波的控制,交替导通或截止,再经L和C滤波器在负载R上得到稳定直流输出电压Uo=D*Vd(D≤1),由于输入电压为18V,输出电压20~36V,故不能满足要求。

  方案二:BOOST拓扑。见图2,开关V1导通时电感储能,截止时电感能量输出。只要电感绕制合理,能达到要求的输出电压30~36V,且输出电压Uo呈现连续平滑的特性。

  方案三:BUCK-BOOST拓扑。见图3,由于电路属于升降压拓扑,控制比较复杂,由于本题只需升压,故选择方案二。

  基于MSP430F169的程控开关稳压电源的设计,第2张

  1.3 控制方法的方案选择

  方案一:采用单片机产生PWM波,控制开关的导通与截止。根据片内A/D采样后的反馈电压程控改变占空比,使输出电压稳定在设定值。负载电流在康铜丝上的取样经片内A/D后输入单片机,当该电压达到一定值时关闭开关管,形成过流保护。该方案主要由软件实现,控制算法比较复杂,速度慢,输出电压稳定性不好,若想实现自动恢复,实现起来比较复杂。

  方案二:采用恒频脉宽调制控制器TL494,这个芯片可推挽或单端输出,工作频率为1~300KHz,输出电压可达40V,内有5V的电压基准,死区时间可以调整,输出级的拉灌电流可达200mA,驱动能力较强。芯片内部有两个误差比较器,一个电压比较器和一个电流比较器。电流比较器可用于过流保护,电压比较器可设置为闭环控制,调整速度快。鉴于上面分析,选用方案二。

  1.4 电流工作模式的方案选择

  方案一:电流连续模式。

  电流连续工作状态,在下一周期到来时,电感中的电流还未减小到零,电容的电流能够得倒及时的补充,输出电流的峰值较小,输出纹波电压小。

  方案二:电流断续模式。断续模式下,电感能量释放完时,下一周期尚未到来,电容能量得不到及时补充,二极管的峰值电流非常大,对开关管和二极管的要求就非常高,二极管的损耗非常大,而且由于电流是断续的,输出电流交流成分比较大,会增加输出电容上的损耗。由于对于相同功率的输出,断续工作模式的峰值电流要高很多,而且输出直流电压的纹波也会增加,损耗大。

  鉴于上面分析,本设计采用方案一。

  1.5 提高效率的方案选择

  影响效率的因素主要包括单片机及外围电路功耗,单片机及外围电路供电电路的效率和DC-DC变换器的效率。故我们采用了超低超低功耗的MSP430单片机,采用了高转换效率的芯片对外围电路进行供电,并且采用低损耗的元器件,和优异的控制策略。

  二、详细软硬件分析

  2.1 硬件整体框图设计(见图4):

  基于MSP430F169的程控开关稳压电源的设计,第3张

  单片机通过键盘控制电压的步进,经过单片机控制D/A提供一个参考电压,与输出电压的反馈分压进行比较,在TL494内部的电压误差放大器产生一个高或低电平,控制脉宽变化,来达到调整输出电压的变化,反复调整后使输出达到设定得值为止。参考电压输出后电压的反馈调节是由TL494自动调节的,调节速快。

  2.2 理论分析与参数计算

  2.2.1 主回路器件的选择及参数设计:

  2.2.1.1 磁芯和线径选择。当交变电流通过导体时,电流将集中在导体表面流过,这种现象叫集肤效应。电流或电压以频率较高的电子在导体中传导时,会聚集于总导体表层,而非平均分布于整个导体的截面积中。线径的选择主要由本系统的开关频率确定。开关频率越大,线径越小,但是所允许经过的电流越小,并且开关损耗增大,效率降低。本系统采用的频率为44K,查表得知在此频率下的穿透深度为0.3304mm,直径应为此深度的2倍,即为0.6608mm。选择的AWG导线规格为21#,直径为0.0785cm(含漆皮)。磁芯选择铁镍钼磁芯,该磁芯具有高的饱和磁通密度,在较大的磁化场下不易饱和,具有较高的导磁率、磁性能稳定性好(温升低,耐大电流、噪声小),适用在开关电源上。

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