单向可控硅充电电路图大全（八款单向可控硅充电电路设计原理图详解）

单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个电极，由四层半导体PNPN构成。单向可控硅有三个PN结，其内部结构与等效电路符号如图4-10所示。单相可控硅可等效看成一个PNP型三极管Vl和一个NPN型三极管V2组合而成，Vl基极和V2集电极相连，Vl集电极和V2基极相连，此连接处为可控硅控制极G，Vl的发射极为可控硅阳极A，V2的发射极为可控硅阴极K。可控硅没有触发前，阳极A和阴极K之间呈关断状态，可控硅被触发后阳极A和阴极K之间呈导通状态，电流从阳极A流向阴极K，其电路如下图所示。

当可控硅控制极G与阴极K之间加正向触发电压时，可控硅导通，负载有电流通过。可控硅导通后，只要A、K之间保持正向电压和维持一定电流，去掉触发电压可控硅仍可保持导通状态。在A、K间电压与电流不能维持导通时，或A、K之间电压极性发生变化时，可控硅则由导通变为截止。

此电路为简易型，电路非常稳定，可供参考。