C1 是正反馈的作用。当 Q2 导通以后, C1 的正反馈作用,让 Q2 迅速进入饱和区。 然后 C1 放电并反向充电, 随着 Q1 基极电位的升高, Q2 的基极电流也降低, 同时 L1 上的电流不断升高, 当达到足够大使 Q2 退出饱和状态时, Q2 集电极电位的升高, 将通过 C1 的正反馈给 Q1 的基极以提高电位, 这样就让 Q1,Q2 马上都回到截止区。 Q1 再度导通, 得由 R1,C1 再度充电,让 Q1 的基极电位降下来, 是需要比较长的时间的, 所以通常做出来的电路 L1 的充电时间远大于放电(包括之后等待再充电)时间的。
接上 D1 后, 输出电压过高, 会对 C1 的充放电产生影响, 导致 Q1,Q2 的导通时间更短, 而放电后的等待时间更长。
从上面分析可以看出, 这个电路的工作频率跟 R1, C1 都有关。也受 L1 的一点影响, 但影响不大。
这个电路的驱动能力, 跟 R1, L1 的取值和 Q1,Q2 的放大倍数关系比较大。
这个电路起振容易, 不起振的条件是:
R1 比较小, Q1,Q2 导通后, C1 反向充电完成了, Q1 的电流达到最小值, 这时如果 Q2 还在饱和区 (L1 的内阻限制 Q2 的集电极电流进一步升高), 这是耗电很大, 电路停振。
3.7v升压12v升压器电路图(二)3.7V转12V1.5A,3.7V升压12V1.5A电路图,非同步整流升压典型电路,外置肖特基二极管。外围简单。
过电流保护(OCP)检测通过 LX 与 GND 之间 MOS 电流,也就是电感峰值电流,触发过电流会将占空比缩小,制电感电流,输出电压也会降低;当占空比 50%以上触发 OCP,为了让 PWM 稳定方波,IC內部做斜率补偿,占空比越大 OCP 会降低,透过外部电阻 R3 调整 OCP,R3 选用参考以下图表,电阻值 150kΩ~51kΩ,OCP 2A~10A,OC Pin 不能空接。
3.7v升压12v升压器电路图(三)
NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX770,以上这些型号都是可以用的。价格以NCP1400ASN50和NCP1402SN50比较便宜,零售价大约2元多,输入电压范围是0.8V~5V);电路形式以TPS60110和TPS60111比较简单(只用3~4只小电容,不需要开关二极管和电感,输入电压范围2.7V~5.4V)。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)