2018年1月16日,MT-2020(5G)推进组在北京发布5G 技术研发试验第三阶段规范,预计在 2018 年底 5G 产业链主要环节基本达到预商用水平,为 5G 规模试验及商用奠定基础。随着5G 技术研发试验进入第三阶段,Qorvo 作为全球领先的创新 RF 解决方案提供商,将在 5G 商用化的产品定义上帮助合作伙伴进一步完善产品,为 5G 产业链的发展助力。
相比于以往的 2G、3G,以及 4G 通信,5G 通信为了实现在通讯速率和容量上的升级,主要做了三大技术的改变:一是使用了更多的通讯频段,二是使用了 MIMO 多天线技术,三是使用了载波聚合技术。
首先,在通讯频段方面,到 2020 年,5G 应用支持的频段数量将实现翻番,新增 50 个以上通信频段,全球 2G/3G/4G/5G 网络合计支持的频段将达到 91 个以上。随着频段不断增多,不仅滤波器设计的难度会大幅增加,相应的滤波器销售数量也会是目前的数倍之多。此外,就实际应用而言,目前国内手机普遍支持五模十三频,即支持的频段数量为 13 个,而之前的 2G 手机仅需支持 4 个频段,3G 手机至少支持 9 个频段,可见支持频段的数量在每一代通信系统升级过程中都有大幅提升。
其次,在 MIMO 多天线技术方面,MIMO 技术使得通讯的速率和容量实现成倍增长,是 LTE 及未来 5G 的关键技术之一。为提升通讯速率,预计到 2020 年,MIMO 64x8 将成为标准配置,即基站端采用 64 根天线,移动终端采用 8 根天线的配置模式。目前市场上多数手机仅仅支持 MIMO 2x2 技术,如若采用 MIMO 64x8 技术,基站天线的配置数量需要增长 31 倍,手机天线数量需要增长 3 倍。可以说,MIMO 技术的应用普及不仅为天线行业带来巨大增量市场,也将为基站和终端天线带来快速增长的行业机会。
最后,在载波聚合技术方面,由于载波聚合技术将数个窄频段合成一个宽频段,在实现传输速率大幅提升的同时,也大大增加了对射频器件性能的要求以及射频系统的复杂度。随着载波聚合的逐步普及,射频 MEMS 开关行业将迎来快速增长。目前基于 SOI 工艺的射频开关正在接近技术极限,无法满足 IIP3=90dbm 的要求。能够达到 IIP3》90dbm 的射频性能目标的唯一一种开关是射频 MEMS 开关,因此射频 MEMS 开关将在未来 5G 时代迎来确定性增长机会。
实际上,射频器件已经是一个规模超过 200 亿美元的大市场,而未来 4G+、5G,以及物联网等对射频器件的爆发性需求必定还会加速这一市场的发展。市场研究机构 Yole 此前发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计,2016-2022 年全球 RF 功率组件市场产值,将由 15 亿美元攀升至 25 亿美元,年复合成长率可达 9.8%。
随着 5G 步伐的不断加快,各大厂商之间的竞争也愈发白热化,都在试图抢占 5G 时代的主导权,而 Qorvo 作为全球领先的创新 RF 解决方案提供商也不例外。目前,Qorvo 在 5G 相关领域已积累了许多核心技术,从 LowDrift™ 和 NoDrift™ 滤波技术、天线调谐技术到 RF Fusion™ 和 RF Flex™ 射频前端解决方案,再到更加基础的 GaN 技术,Qorvo 提供了行业领先的核心架构、滤波器和开关产品。此外,Qorvo 还与运营商和标准机构积极合作,让 5G 理想变为现实。
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