NAND Flash是采用NAND结构技术的非易失存储器,具有ROM存储器的特点。NAND FLASH 存储器将数据线与地址线复用为8条线,另外还分别提供了命令控制信号线,因此,NAND FLASH 存储器不会因为存储容量的增加而增加引脚数目。从而极大方便了系统设计和产品升级。
1 元件介绍
1.1 MSP430芯片
MSP430系列单片机是TI公司推出的16位RISC系列单片机,该系列是一组超低功耗微控制器,供电电压范围为1.8V—3.6V。考虑到本系统有微体积、低功耗的要求,在此选用MSP430F149,它具有60KB Flash Memory、2kb RAM、有8个通道采样率为200K的12位A/D转换器、硬件乘法器、2个带有大量捕获/比较寄存器的16位定时器、看门狗等,为系统的进一步开发扩展提供了良好的基础,特别适用于较复杂的系统开发。
1.2 NAND Flash
2 硬件设计
本系统中,K9F1G08U0M的数据输入输出口与单片机的P6端口相连。片选信号与单片机的P2.4相连, CLE(命令锁存控制端)、ALE(地址锁存控制端)、WE(写 *** 作控制端)、RE(读 *** 作控制端)分别通过控制单片机P3.3、P2.3、P2.6、P2.5引脚的电平,决定对FLASH
进行控制字 *** 作、地址 *** 作、写 *** 作还是读 *** 作。在此不使用写保护功能,所以WP接高电平。FLASH与单片机的部分连接组成电路如图1所示。
图1 MSP430F149与K9F1G08U0M的连接
3 软件设计
MSP430的开发软件较多,本文采用IAR公司的集成开发环境—IAR Embedded workbench 嵌入式工作台,利用C430(MSP430系列的C语言)编写调试。单片机对FLASH的 *** 作主要有写、读、擦除。
3.1 写 *** 作
向FLASH内部写数据是基于页的,K9F1G08U0M的命令字、地址和数据都是通过并行口线I/O0—I/O7在控制信号的作用下分时 *** 作。地址A0—A10,A11—A26通过I/O0—I/O7分4次送入。同时K9F1G08U0M芯片提供了一根状态指示信号线 ,当该信号为低电平时,表示FLASH可能正处于擦除、编程或读 *** 作的忙状态;而当其为高电平时,则表示为准备好状态,此时可以对芯片进行各种 *** 作。本系统须写入126M数据写 *** 作流程图如图2。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)