STM32的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储器,该部分用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。对于大容量产品,其被划分为 256 页,每页 2K 字节。注意,小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000, B0、B1 都接 GND 的时候,就是从 0X08000000开始运行代码的。
信息块,该部分分为 2 个小部分,其中启动程序代码,是用来存储 ST 自带的启动程序,用于串口下载代码,当 B0 接 V3.3,B1 接 GND 的时候,运行的就是这部分代码。用户选择字节,则一般用于配置写保护、读保护等功能,本章不作介绍。
闪存存储器接口寄存器,该部分用于控制闪存读写等,是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理;编程与擦除的高电压由内部产生。
在执行闪存写 *** 作时,任何对闪存的读 *** 作都会锁住总线,在写 *** 作完成后读 *** 作才能正确地进行;既在进行写或擦除 *** 作时,不能进行代码或数据的读取 *** 作。
flash大小64K。本例子0x0800 0000~0x800 3000作为bootloader使用,0x0800 3000~0x0800 C000作为程序存放地址,0x0800 C000~0x0800 FFFF作为本例子的数据存放区域。
程序:
#include “stm32f10x_flash.h”
#define PageSize 1024
u32 data[10] = {1,2,3,4,5,6,7,8,9,10};
u32 data_temp[10] = {0};
u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size);
int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size);
/******************************************************************************
* flash的写函数:输入:
u32 StartAddr flash起始地址
u32 *p_data 待写入数据指针u32 size写入数据的数量
输出:0:正确执行
非0:出错
注意:输入数据一定是u32 的指针,即数据一定是按照4字节对齐写入的。
所以:size也是u32的个数(字节数的4分之一)
*******************************************************************************/
u8 flash_write(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size)
{
volaTIle FLASH_Status FLASHStatus;
u32 EndAddr=StartAddr+size*4;
vu32 NbrOfPage = 0;
u32 EraseCounter = 0x0, Address = 0x0;
int i;
int MemoryProgramStatus=1;
//为一是通过
FLASH_Unlock(); //解锁函数
NbrOfPage=((EndAddr-StartAddr)》》10)+1;//有多少个页被擦除//清除所有已有标志
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
//擦页
FLASHStatus=FLASH_COMPLETE;
for(EraseCounter=0;(EraseCounter《NbrOfPage)&&(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE);EraseCounter++)
{
FLASHStatus=FLASH_ErasePage(StartAddr+(PageSize*EraseCounter));
}
//开始写数据
Address = StartAddr;
i=0;
while((Address《EndAddr)&&(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE))
{ FLASHStatus=FLASH_ProgramWord(Address,p_data[i++]);
Address=Address+4;
}
//检验数据是否出错
Address = StartAddr;
i=0;
while((Address 《 EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0))
{
if((*(vu32*) Address) != p_data[i++])
{ MemoryProgramStatus = 0;
return 1;
}
Address += 4;
}
return 0;
}
int flash_read(u32 StartAddr,u32 *p_data,u32 size)
{
u32 EndAddr=StartAddr+size*4;
int MemoryProgramStatus=1;
u32 Address = 0x0;
int i=0;
Address = StartAddr;
while((Address 《 EndAddr) && (MemoryProgramStatus != 0))
{
p_data[i++]=(*(vu32*) Address);
Address += 4;
}
return 0;
}
调用例子:
flash_write(0x0800C000,&data[0],10);
flash_read(0x0800C000,&data_temp[0],10);
注意:#define PageSize 1024 根据不同型号有1K与2K的不同
STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同,系统存储器的不同,分为小容量、中容量、大容量、互联型,共四类产品。
小容量产品主存储块1-32KB,每页1KB。系统存储器2KB。
中容量产品主存储块64-128KB,每页1KB。系统存储器2KB。
大容量产品主存储块256KB以上,每页2KB。系统存储器2KB。
互联型产品主存储块256KB以上,每页2KB。系统存储器18KB。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)